[發明專利]一種無鉛鈣鈦礦薄膜、其制備方法及應用在審
| 申請號： | 201610238703.7 | 申請日： | 2016-04-18 |
| 公開（公告）號： | CN105679936A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 范建東;沈艷嬌;劉沖;張星;李紅亮;陳榮榮;麥耀華 | 申請（專利權）人： | 河北大學 |
| 主分類號： | H01L51/00 | 分類號： | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 石家莊國域專利商標事務所有限公司 13112 | 代理人： | 胡素梅;白海靜 |
| 地址： | 071002 河北省保*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無鉛鈣鈦礦 薄膜 制備 方法 應用 | ||
1.一種無鉛鈣鈦礦薄膜，其特征是，所述無鉛鈣鈦礦薄膜的化學通式為CH3NH3SnX3；其中，X為Cl、Br或I。
2.一種無鉛鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征是，包括如下步驟：
a、稱取SnX2和CH3NH3X，X為Cl、Br或I；
b、將所稱取的SnX2和CH3NH3X作為兩個蒸發源放入共蒸發設備的腔室內，同時在共蒸發設備的腔室內設置基片；
c、對共蒸發設備的腔室進行抽真空；
d、對SnX2蒸發源進行加熱，使SnX2蒸發并沉積在基片上；之后停止對SnX2蒸發源進行加熱，繼而對CH3NH3X蒸發源加熱，使CH3NH3X蒸發并沉積在基片上，完成SnX2和CH3NH3X交替蒸發的一個循環；
e、重復步驟d，完成SnX2和CH3NH3X交替蒸發的第二個循環；
f、取出基片，并對其進行退火處理，退火完成后即制成無鉛鈣鈦礦薄膜CH3NH3SnX3。
3.根據權利要求2所述的無鉛鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征是，步驟f中退火溫度為100℃~160℃，退火時間為20min~40min。
4.根據權利要求3所述的無鉛鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征是，步驟f中退火溫度為160℃，退火時間為30min。
5.根據權利要求2所述的無鉛鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征是，步驟f中所形成的無鉛鈣鈦礦薄膜CH3NH3SnX3的厚度為280nm~450nm。
6.根據權利要求2所述的無鉛鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征是，步驟c中對共蒸發設備的腔室抽真空至5×10-5Pa~30×10-5Pa。
7.一種鈣鈦礦太陽能電池，其特征是，所述鈣鈦礦太陽能電池中的鈣鈦礦薄膜為無鉛鈣鈦礦薄膜，所述無鉛鈣鈦礦薄膜的化學通式為CH3NH3SnX3；其中，X為Cl、Br或I。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
