[發明專利]一種具有單匝波繞組的大功率永磁耦合器在審
| 申請號: | 201610238101.1 | 申請日: | 2016-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN105790545A | 公開(公告)日: | 2016-07-20 |
| 發明(設計)人: | 李宏濤;漆復興 | 申請(專利權)人: | 江蘇磁谷科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H02K51/00 | 分類號: | H02K51/00 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李曉靜 |
| 地址: | 210046 江蘇省鎮江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 單匝波 繞組 大功率 永磁 耦合器 | ||
技術領域
本發明涉及具有單匝波繞組的大功率永磁耦合器,屬于機械驅動領域。
背景技術
目前,繞組式永磁耦合器由永磁轉子和繞組轉子組成,當繞組轉子隨動力軸旋轉, 繞組被永磁轉子的磁場切割產生電動勢,繼而產生電流。繞組中的電流與永磁磁場耦合 產生轉矩,帶動負載軸旋轉。
在體積相同條件下,采用永磁轉子為外轉子,繞組轉子為內轉子時,永磁耦合器的 功率密度更高,所能提供的轉矩也更大。
對于大功率的繞組式永磁耦合器而言,由于繞組轉子的電壓、電流較大,采用散嵌 繞組已不能滿足生產要求,一般設計成由多個串聯線匝組成的硬繞組成型線圈,其繞組 鐵芯只能設計成開口槽,這就帶來了以下問題:一方面,耦合器運行時繞組高速旋轉產 生很大的離心力,長期運行極易導致槽楔脫落,影響耦合器正常運行;另一方面,開口 槽設計導致氣隙磁場諧波含量較大,在永磁體中會產生很大的渦流損耗,極易導致永磁 體退磁,雖然采用磁性槽楔可以起到改善氣隙磁密波形,降低永磁體渦流損耗的作用, 但是磁性槽楔的性能欠佳,經常出現起層或者破損等現象,同時也存在脫落的可能。
為了最大程度的利用永磁體的性能,永磁轉子通常設計成表貼式,在永磁電機領域, 由于轉子與定子磁場同步旋轉,常常忽略永磁體表面的渦流損耗,但是對于永磁耦合器 而言,存在離合狀態,此時內、外轉子的轉差很大,永磁體表面的渦流損耗足以使永磁 體溫度升高并退磁,不能被忽略。
發明內容
發明目的:為了克服現有技術中存在的不足,本發明提供一種具有單匝波繞組的大 功率永磁耦合器,由于半閉口槽的槽口寬度遠小于開口槽,有效地改善了氣隙磁密的波 形,降低了永磁體中產生的渦流損耗。
技術方案:為解決上述技術問題,本發明的一種具有單匝波繞組的大功率永磁耦合 器,包括繞組轉子和永磁轉子,所述繞組轉子為內轉子,永磁轉子為外轉子,所述繞組 轉子包含第一鐵芯和繞組,第一鐵芯開設有若干個半閉口槽,繞組位于半閉口槽中,在 半閉口槽中插入有固定繞組的槽楔。
為了降低了永磁體中產生的渦流損耗,所述半閉口槽包含矩形槽、槽口和過渡段, 所述槽口的寬度為0.5-10mm,所述過渡段為斜肩,斜肩用來放置槽楔,繞組插入到矩 形槽中,用槽楔塞緊。
更進一步的,所述槽口的寬度為1-6mm。
更進一步的,所述槽口位于半閉口槽的正中間。
更進一步的,所述槽口位于半閉口槽的一側。
更進一步的,所述斜肩限制槽楔移動的面為平面或圓弧曲面。
更進一步的,所述繞組為單匝線圈。
更進一步的,為了減少極間連線,降低繞組有效材料的消耗,所述繞組包含上層繞 組和下層繞組,轉子的繞組為波繞組結構。
更進一步的,所述波繞組的連線按短距與長距交替進行,最后將兩個大線圈串聯起 來構成一相繞組。
更進一步的,所述繞組是三相或者多相分布,繞組接成星形接法。
更進一步的,所述永磁轉子包含第二鐵芯和永磁體,所述第二鐵芯中有若干個槽, 永磁體嵌入槽中。
更進一步的,永磁體的截面形狀為矩形或瓦片形。
有益效果:本發明的一種具有單匝波繞組的大功率永磁耦合器,由于半閉口槽的槽 口寬度遠小于開口槽,有效地改善了氣隙磁密的波形,降低了永磁體中產生的渦流損耗; 由于過渡段為斜肩狀,繞組產生的離心力就由半閉口槽的斜肩承受,槽楔不會脫落,解 決了大功率的繞組式永磁耦合器長期運行極易導致槽楔脫落的問題;采用波繞組可以減 少極間連線,降低繞組有效材料的消耗。
附圖說明
圖1為本發明中波繞組的原理示意圖。
圖2為本發明的結構示意圖。
圖3為本發明中半閉口槽的結構示意圖。
圖4為本發明中半閉口槽的另一種結構示意圖。
圖5為本發明中半閉口槽的第三種結構示意圖。
圖6為本發明中半閉口槽的第四種結構示意圖。
具體實施方式
實施例1
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