[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610237810.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105762168B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 廖廣蘭;劉智勇;史鐵林;譚先華;孫博;吳悠妮;潛世界 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華中科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L27/30 | 分類號(hào): | H01L27/30;H01L21/77;H01L51/42;H01G11/08 |
| 代理公司: | 華中科技大學(xué)專利中心 42201 | 代理人: | 梁鵬 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 太陽(yáng)能電池 超級(jí) 電容器 集成 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,該集成件包括超級(jí)電容器和兩塊鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組,其中:
所述超級(jí)電容器包括第一導(dǎo)電基底(8)和固態(tài)電解質(zhì)層(6),所述第一導(dǎo)電基底(8)作為超級(jí)電容器的負(fù)極夾在兩塊太陽(yáng)能電池組的中間,其上下表面印刷有碳電極,所述固態(tài)電解質(zhì)層(6)設(shè)于第一導(dǎo)電基底(8)與太陽(yáng)能電池組之間,以將第一導(dǎo)電基底(8)與太陽(yáng)能電池組進(jìn)行隔離;
每塊所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組包括多個(gè)串聯(lián)的從左往右依次布置的太陽(yáng)能電池單元,所述太陽(yáng)能電池單元由下至上依次包括第二導(dǎo)電基底(1)、太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極(2)、鈣鈦礦層(3)和碳電極(4),其中,位于左端的太陽(yáng)能電池單元的碳電極與所述固態(tài)電解質(zhì)層(6)相抵接,兩者長(zhǎng)度、寬度相同,該碳電極既作為鈣鈦礦太陽(yáng)能電池組的正極,又作為超級(jí)電容器的正極,其他太陽(yáng)能電池單元的碳電極通過(guò)絕緣層(5)與左端太陽(yáng)能電池單元的碳電極進(jìn)行隔離;位于右端的太陽(yáng)能電池單元的第二導(dǎo)電基底與超級(jí)電容器的第一導(dǎo)電基底相連,使光照產(chǎn)生的電子傳輸于超級(jí)電容器的負(fù)極。
2.如權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,所述第一導(dǎo)電基底上下表面的碳電極與固態(tài)電解質(zhì)層(6)之間還設(shè)置有增加超級(jí)電容器電容量的表面修飾層(7)。
3.如權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,所述第一導(dǎo)電基底(8)為雙面都鍍有FTO或ITO導(dǎo)電層的玻璃或柔性PET薄膜。
4.如權(quán)利要求3所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,所述第二導(dǎo)電基底(1)為以玻璃為基底的FTO或ITO,或者是以柔性PET薄膜為基底的FTO/PET或ITO/PET。
5.如權(quán)利要求4所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,所述太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極(2)厚度控制在20nm~500nm,其作為載體附著鈣鈦礦材料,并起到傳輸光生電子的作用,其具體為T(mén)iO2、ZnO或Al2O3的薄膜或納米結(jié)構(gòu),所述納米結(jié)構(gòu)為納米線、納米管、納米棒或納米片。
6.如權(quán)利要求5所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,所述鈣鈦礦層(3)具體為由鈣鈦礦材料沉積而成的吸光層。
7.如權(quán)利要求6所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,所述鈣鈦礦層(3)為采用一步法或兩步法制備的CH3NH3PbI3、CH3NH3PbBrxI3-x或CH3NH3PbClxI3-x薄膜,厚度控制在200nm~400nm。
8.如權(quán)利要求7所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池與超級(jí)電容器集成件,其特征在于,所述太陽(yáng)能電池單元的碳電極(4)具體為由碳漿料經(jīng)絲網(wǎng)印刷在鈣鈦礦層上形成的導(dǎo)電碳對(duì)電極層,以用于收集并傳輸由鈣鈦礦材料產(chǎn)生的光生空穴,并作為超級(jí)電容器的一極存儲(chǔ)電荷,其厚度控制在10μm~100μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





