[發明專利]一種提高場效應晶體管式氣體傳感器靈敏度的方法在審
| 申請號： | 201610237370.6 | 申請日： | 2016-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN105675692A | 公開（公告）日： | 2016-06-15 |
| 發明（設計）人： | 塔力哈爾·夏依木拉提;李文亮;彭敏;馮艷;謝寧 | 申請（專利權）人： | 塔力哈爾·夏依木拉提 |
| 主分類號： | G01N27/414 | 分類號： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐寧;孫楠 |
| 地址： | 830024 新疆維吾爾自*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 場效應 晶體管 氣體 傳感器 靈敏度 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高場效應晶體管式氣體傳感器靈敏度的方法，其特征在于：它包括 以下步驟：
1)制備半導體材料，然后制作場效應晶體管氣體傳感器；
2)把場效應晶體管氣體傳感器放入氣體中；
3)通過測試儀獲得場效應晶體管氣體傳感器的轉移曲線；
4)在場效應晶體管傳感器的轉移曲線中，通過計算獲得在同一濃度氣體，不 同柵極偏壓下，場效應晶體管式氣體傳感器的靈敏度S；
5)在相同濃度的氣體中，選取場效應晶體管氣體傳感器的靈敏度最高所對應 的柵極偏壓。
2.如權利要求1所述的一種提高場效應晶體管式氣體傳感器靈敏度的方法， 其特征在于：所述步驟1)中，場效應晶體管氣體傳感器采用頂柵極結構的場效應 晶體管式氣體傳感器或底柵極結構的場效應晶體管式氣體傳感器。
3.如權利要求1所述的一種提高場效應晶體管式氣體傳感器靈敏度的方法， 其特征在于：所述步驟4)中，在同一濃度氣體，不同柵極偏壓下，場效應晶體管 式氣體傳感器的靈敏度S：
其中，表示場效應晶體管氣體傳感器在NO2中的源漏電流；表示場效應 晶體管氣體傳感器在高純氮中的源漏電流。
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