[發明專利]傳感器及其制造方法、電子設備

有效

• 申請號: 201610236910.9
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN105789324B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 林家強
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;KA圖像
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;G01L9/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種傳感器，其特征在于，包括：

襯底基板；

薄膜晶體管，設置在所述襯底基板上，所述薄膜晶體管包括源極；

第一絕緣層，設置在所述薄膜晶體管上，所述第一絕緣層中設置有貫穿所述第一絕緣層的第一過孔；

導電層，設置于所述第一過孔中和部分所述第一絕緣層上并通過所述第一過孔與所述源極電連接；

偏壓電極，設置于所述第一絕緣層上且與所述導電層分離；

傳感有源層，分別與所述導電層和所述偏壓電極連接；

第二絕緣層，設置于所述傳感有源層上，以及

輔助導電層，設置于所述導電層上。

2.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導電層與所述傳感有源層相分離。

3.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導電層為金屬氧化物導電層。

4.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導電層為氧化銦錫(ITO)層或氧化銦鋅(IZO)層。

5.根據權利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述輔助導電層與所述導電層直接接觸。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的傳感器，其特征在于，所述導電層為金屬導電層。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的傳感器，其特征在于，所述導電層的厚度為10納米到100納米。

8.根據權利要求1-5中任一項所述的傳感器，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層中設置有第二過孔，其中，在垂直于所述襯底基板的方向上，所述鈍化層設置于所述源極與所述第一絕緣層之間，所述第二過孔貫穿所述鈍化層并與所述第一過孔連通，所述導電層通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述源極電連接。

9.根據權利要求8所述的傳感器，其特征在于，所述第二過孔的最大孔徑小于所述第一過孔的最小孔徑。

10.根據權利要求8所述的傳感器，其特征在于，還包括屏蔽金屬層，所述屏蔽金屬層中設置有第三過孔，其中，所述屏蔽金屬層設置于所述鈍化層和所述第一絕緣層之間，所述第三過孔貫穿所述屏蔽金屬層并與所述第一過孔和所述第二過孔連通，所述導電層通過所述第一過孔、所述第二過孔和所述第三過孔與所述源極電連接。

11.根據權利要求10所述的傳感器，其特征在于，所述屏蔽金屬層在所述襯底基板上的投影與所述薄膜晶體管的有源層在所述襯底基板上的投影至少部分交疊。

12.根據權利要求10所述的傳感器，其特征在于，所述第三過孔的最大孔徑小于所述第一過孔的最小孔徑，所述第三過孔的最小孔徑大于所述第二過孔的最大孔徑。

13.根據權利要求10所述的傳感器，其特征在于，所述導電層至少設置在第一過孔、第二過孔和第三過孔的側壁上，所述導電層的至少位于所述側壁的部分被所述輔助導電層完全覆蓋。

14.根據權利要求1-5中任一項所述的傳感器，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度為1微米到4微米。

15.一種電子設備，其特征在于，包括權利要求1-14中任一項所述的傳感器。