[發明專利]伯努利基座裝置及沉積設備

在審

• 申請號: 201610236823.3
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN107301962A
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 劉源;保羅·邦凡蒂
• 申請（專利權）人: 上海新昇半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 金華

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種伯努利基座裝置及沉積設備。

背景技術

在外延層生長過程中，晶圓的滑移錯位(slip dislocation)成為一個影響晶圓性能的重要缺陷。滑移錯位使形成在晶圓上的器件性能大為降低。

如圖1所示，在現有技術中，為了解決上述滑移錯位的問題，通常會在反應設備的基座1中設計一凹槽，當晶圓2放置在基座1上時，晶圓2僅有部分與基座1接觸，中心大部分區域均懸空，如圖1所示，避免晶圓2與基座1大面積接觸，減少基座1上的污染物對晶圓2造成污染，從而可以確保晶圓2形成的性能。由于基座1上的溫度采用輻射狀對晶圓2進行加熱，在形成凹槽后，晶圓2表面的因為應力而凹陷靠近在基座1表面上，這樣會造成溫度輻射在晶圓2的中心區域，使晶圓2的受熱不均勻，受熱不均則會導致滑移錯位越來越嚴重，因此，如何解決滑移錯位成為本領域技術人員急需解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種伯努利基座裝置及沉積設備，能夠使晶圓與基 座完全不接觸，能夠避免基座上污染物污染晶圓的同時，還能夠確保晶圓受熱均勻，減小滑移錯位的產生。

為了實現上述目的，本發明提出了一種伯努利基座裝置，包括：

基座，一端表面設有多個氣孔，另一端設有中軸；

多管氣體管路，設于所述中軸中，并貫穿所述基座，連接所述氣孔，為所述氣孔提供預定壓力的氣體。

進一步的，在所述的伯努利基座裝置中，所述氣孔均勻分布在所述基座表面。

進一步的，在所述的伯努利基座裝置中，所述氣孔分為內圈氣孔和外圈氣孔，所述內圈氣孔靠近所述基座的中心區域，所述外圈氣孔靠近所述基座的邊緣區域。

進一步的，在所述的伯努利基座裝置中，所述氣體管路為兩條獨立管路，分別為內圈氣孔和外圈氣孔提供氣體。

進一步的，在所述的伯努利基座裝置中，所述氣體管路提供的氣體為H₂。

在本發明中，還提出了一種沉積設備，包括上文所述的伯努利基座裝置和反應腔室，所述伯努利基座裝置安裝在所述反應腔室內，晶圓通過伯努利原理吸附在所述伯努利基座裝置的表面。

進一步的，在所述的沉積設備中，所述伯努利基座裝置中的氣孔均勻分布在基座表面。

進一步的，在所述的沉積設備中，所述氣孔分為內圈氣孔和外圈氣孔，所述內圈氣孔靠近所述基座的中心區域，所述外圈氣孔靠近所述基座的邊緣區域。

進一步的，在所述的沉積設備中，所述伯努利基座裝置中的氣體管路為兩條獨立管路，分別為內圈氣孔和外圈氣孔提供氣體。

進一步的，在所述的沉積設備中，所述伯努利基座裝置中的氣體管路提供的氣體為H₂。

進一步的，在所述的沉積設備中，所述伯努利基座裝置中多管氣體管路提供的氣體壓力可調。

與現有技術相比，本發明的有益效果主要體現在：在基座表面設置氣孔，在基座中設置多管氣體管路，多管氣體管路為氣孔提供預定壓力的氣體，當晶圓放置在基座表面，通過氣孔噴出的氣體，借助于伯努利原理使晶圓被吸附在基座表面，但與基座保持預定距離，實現晶圓與基座完全不接觸，并且由于晶圓于基座靠近，且距離均勻，基座對晶圓的熱輻射更加均勻，避免晶圓形成滑移錯位，提高晶圓的性能。

附圖說明

圖1為現有技術中基座結構示意圖；

圖2為本發明一實施例中伯努利基座裝置的俯視圖；

圖3為沿圖2中AA向的剖面示意圖；

圖4為沿圖2中BB向的剖面示意圖。

具體實施方式

下面將結合示意圖對本發明的伯努利基座裝置及沉積設備進行更詳細的描述，其中表示了本發明的優選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發明，而仍然實現本發明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發明的限制。

為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發明由于不必要的細節而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發中，必須做出大量實施細節以實現開發者的特定目標，例如按照有關系統或有關商業的限制，由一個實施例改變為另一個實施例。另外，應當認為這種開發工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規工作。