[發明專利]交替注入反應物生長單層和多層過渡金屬硫化物的方法在審
| 申請號： | 201610236670.2 | 申請日： | 2016-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN105800566A | 公開（公告）日： | 2016-07-27 |
| 發明（設計）人： | 張天寧;陳鑫;張克難;俞偉偉;孫艷;戴寧 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | C01B17/20 | 分類號： | C01B17/20;C01G39/06;C01G41/00;C01G23/00;C01G39/00 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 交替 注入 反應物 生長 單層 多層 過渡 金屬 硫化物 方法 | ||
【權利要求書】：
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