[發(fā)明專利]一種低損傷埋結(jié)式碲鎘汞探測(cè)器芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610236574.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-04-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105762209B | 公開（公告）日： | 2018-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡曉寧;張姍;樊華;廖清君;葉振華;林春;丁瑞軍;何力 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/0352 | 分類號(hào)： | H01L31/0352;H01L31/103 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 損傷 結(jié)式 碲鎘汞 探測(cè)器 芯片 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種低損傷埋結(jié)式碲鎘汞探測(cè)器芯片，包括：紅外襯底(1)，碲鎘汞p型外延薄膜(2)，n型區(qū)(3)，鈍化層(4)，n型區(qū)上電極(5)，p型區(qū)上電極(6)，銦柱陣列(7)；其特征在于：利用離子注入方法形成的n型區(qū)(3)制備在碲鎘汞p型外延薄膜(2)上深度為0.5～3.0μm的腐蝕坑的內(nèi)部，離子注入窗口與腐蝕坑大小相等，p-n結(jié)整個(gè)結(jié)區(qū)埋于材料內(nèi)部，與表面隔離。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
