[發(fā)明專利]參考電壓產(chǎn)生電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610236347.5
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN107300939B
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉飛;唐華;荀本鵬;楊海峰;郭萌萌
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

1.一種參考電壓產(chǎn)生電路，包括：

驅(qū)動單元，輸入端外接輸入信號，適于根據(jù)所述輸入信號和反饋信號產(chǎn)生驅(qū)動電壓；

第一開關(guān)器件，其輸入端耦接電源，其輸出端輸出所述反饋信號；

第二開關(guān)器件，其控制端耦接所述驅(qū)動電壓，其輸入端耦接所述第一開關(guān)器件的輸出端，其輸出端經(jīng)由第一偏置電路接地；

其特征在于，所述參考電壓產(chǎn)生電路還包括：

第一補償電路，其輸入端耦接所述第一開關(guān)器件的控制端，其輸出端耦接所述第二開關(guān)器件的輸出端，所述第一補償電路適于在所述第一補償電路的輸入端和輸出端之間提供壓降。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述反饋信號作為參考電壓輸出。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一補償電路包括至少一個二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一開關(guān)器件包括第一PMOS管，所述第二開關(guān)器件包括第二PMOS管；

所述第一PMOS管的源極耦接所述電源，其柵極耦接所述第一補償電路的輸入端；所述第二PMOS管源極耦接所述第一PMOS管的漏極，其漏極耦接所述第一偏置電路的輸入端，其柵極耦接所述驅(qū)動單元的輸出端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一PMOS管工作在飽和區(qū)，所述第一PMOS管的漏極電壓作為反饋信號輸入至所述驅(qū)動單元，所述驅(qū)動電壓控制所述第二PMOS管工作在飽和區(qū)，至少一個所述二極管導通后，在所述第一PMOS管的柵極和所述第二PMOS管的漏極之間提供壓降，所述第二PMOS管的漏極電壓小于所述第一PMOS管的柵極電壓。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一補償電路包括MOS管；所述MOS管的柵極耦接其漏極。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第一PMOS管工作在飽和區(qū)，所述第一PMOS管的漏極電壓作為反饋信號輸入至所述驅(qū)動單元，所述驅(qū)動電壓控制所述第二PMOS管工作在飽和區(qū)，所述第二PMOS管的漏極電壓控制所述MOS管導通，在所述第一PMOS管的柵極和所述第二PMOS管的漏極之間提供壓降，所述第二PMOS管的漏極電壓小于所述第一PMOS管的柵極電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述驅(qū)動單元包括運算放大器，其正相輸入端接入所述輸入信號，其反相輸入端接入所述反饋信號，其輸出端輸出所述驅(qū)動電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求3或6所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，還包括第三PMOS管、第四PMOS管、第二偏置電路和第二補償電路；

所述第三PMOS管的源極耦接電源，其柵極耦接所述第二補償電路的輸入端；所述第四PMOS管的源極耦接所述第三PMOS管的漏極，其漏極耦接所述第二偏置電路的輸入端，其柵極耦接所述驅(qū)動單元的輸出端；所述第二補償電路的輸出端耦接所述第四PMOS管的漏極；所述第二偏置電路的輸出端接地。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第三PMOS管的漏極電壓作為所述參考電壓輸出。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第二補償電路包括至少一個二極管。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的參考電壓產(chǎn)生電路，其特征在于，所述第二補償電路包括MOS管；所述第二補償電路中的MOS管的柵極耦接其漏極。