[發(fā)明專利]一種計(jì)算儲(chǔ)層裂縫孔隙度的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610236122.X
• 申請(qǐng)日: 2016-04-15
• 公開（公告）號(hào): CN107301255B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李浩;王丹丹;馮瓊;魏修平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國石油化工股份有限公司;中國石油化工股份有限公司石油勘探開發(fā)研究院
• 主分類號(hào): G06F30/20
• 分類號(hào): G06F30/20;E21B49/00
• 代理公司: 北京思創(chuàng)畢升專利事務(wù)所 11218
• 代理人: 孫向民

1.一種計(jì)算儲(chǔ)層裂縫孔隙度的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

將聲波AC曲線和密度DEN曲線轉(zhuǎn)換成聲波孔隙度PAC曲線和密度孔隙度PDEN曲線；

校正聲波孔隙度PAC曲線和密度孔隙度PDEN曲線；

根據(jù)校正后的聲波孔隙度PAC值與密度孔隙度PDEN值的相對(duì)大小識(shí)別高角度縫和低角度縫；

建立聲波AC、密度DEN與電阻率Rt的函數(shù)關(guān)系；

確定高角度縫函數(shù)和低角度縫函數(shù)中的參數(shù)值；

求解儲(chǔ)層裂縫孔隙度；

其中，利用以下公式建立聲波AC與電阻率R_t的函數(shù)關(guān)系：

R_t＝e·AC^f其中，e、f為常數(shù)；

其中，AC對(duì)應(yīng)的電阻率為雙側(cè)向中的深側(cè)向電阻率RD，即Rt對(duì)應(yīng)RD；

其中，分別讀取高角度縫和低角度縫所處深度的AC、RD值，建立交會(huì)圖版，分別擬合高角度縫和低角度縫的AC與RD的指數(shù)函數(shù)關(guān)系，從而確定高角度縫的利用AC重構(gòu)深側(cè)向電阻率的函數(shù)關(guān)系與低角度縫的利用AC重構(gòu)深側(cè)向電阻率的函數(shù)關(guān)系，也即確定高、低角度縫公式中的e、f值；

其中，利用以下公式建立密度DEN與電阻率的函數(shù)關(guān)系：

R_t＝n·DEN^m其中，m、n為常數(shù)；

其中，DEN對(duì)應(yīng)的電阻率為雙側(cè)向中的淺側(cè)向電阻率RS，即Rt對(duì)應(yīng)RS；

其中，分別讀取高角度縫和低角度縫所處深度的DEN、RS值，建立交會(huì)圖版，分別擬合高角度縫和低角度縫的DEN與RS的指數(shù)函數(shù)關(guān)系，從而確定高角度縫的利用DEN重構(gòu)深側(cè)向電阻率的函數(shù)關(guān)系與低角度縫的利用DEN重構(gòu)深側(cè)向電阻率的函數(shù)關(guān)系，也即確定高角度縫和低角度縫公式中的m、n值；

其中，將聲波AC、密度DEN轉(zhuǎn)換的電阻率帶入Sibbit模型，求解得儲(chǔ)層裂縫孔隙度值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，利用威力時(shí)間公式，將聲波AC、密度DEN轉(zhuǎn)換成聲波孔隙度PAC、密度孔隙度PDEN：

其中，AC_ma表示純巖石地層聲波骨架值180；AC_f表示純巖石地層空隙中全為水時(shí)的聲波值620；DEN_ma表示純巖石地層骨架的密度值；DEN_f表示純巖石地層孔隙中全為水時(shí)的密度值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述校正聲波孔隙度PAC曲線和密度孔隙度PDEN曲線的步驟包括：

調(diào)節(jié)測(cè)井測(cè)量的聲波孔隙度PAC曲線和密度孔隙度PDEN曲線值的左右刻度，使聲波孔隙度PAC曲線和密度孔隙度PDEN曲線在已知干層或者水層處重疊；或者

當(dāng)沒有被測(cè)試結(jié)論證實(shí)的確定的干層或者水層的情況下，選擇高阻致密層，調(diào)節(jié)兩條曲線的左右刻度，使其在致密層處重疊。