[發明專利]IGBT的無源保護電路有效
| 申請號: | 201610235852.8 | 申請日: | 2016-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN107306026B | 公開(公告)日: | 2019-03-29 |
| 發明(設計)人: | 朱斯忠;徐寶華 | 申請(專利權)人: | 中惠創智無線供電技術有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/02 | 分類號: | H02H9/02 |
| 代理公司: | 煙臺雙聯專利事務所(普通合伙) 37225 | 代理人: | 張輝 |
| 地址: | 264003 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | igbt 無源 保護 電路 | ||
本發明涉及IGBT的無源保護電路,屬于應用電源領域。本發明用驅動電路的驅動信號作電源,包括參考電壓電路、Vce采樣電路、保護電路;參考電壓電路包括電阻、穩壓管、三極管的BE結,電氣連接為:驅動信號正極?電阻?穩壓管正極?穩壓管負極?三極管的BE結?驅動信號地;Vce采樣電路包括二極管和穩壓管,電氣連接為:IGBT的C極?二極管正極?二極管負極?穩壓管的負極?穩壓管的正極?參考電壓電路中穩壓管的正極;保護電路包括電阻和N型三極管,電阻是三極管的ESD保護回路。本發明不增加外部輔助電源,將占空比較大的PWM切割成占空比較小的方波信號,止IGBT長時間工作于大電流飽和狀態,在不停機的前提下減小IGBT的工作電流,保證IGBT安全。
技術領域
本發明涉及一種IGBT的無源保護電路,屬于應用電源領域。
背景技術
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管ISOLATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR的縮寫,是一種常用的功率元件,它是由雙極型三極管BJT和絕緣柵型場效應管MOSFET復合而成的電壓控制型半導體器件,具有輸入阻抗高、導通電壓降很小的特點,因此,常用作大電流工作的場合,如電機驅動、開關電流、變頻器等。
這種復合器件有三個極:柵極G、發射極E、集電極C,只要提供一個合適的柵極-發射極電壓,即Vge,發射極E與集電極C導通,電流經過兩個極時產生一個電壓降Vce,因生產材料和工藝的不同,每種IGBT的Vce都不相同,Vce不是一個固定的數,而是隨著流經發射極E與集電極C的電流變化,電流越大,Vce越大,當超過IGBT承受的最大值時,IGBT發熱嚴重,甚至損壞。
因此,大功率IGBT通常需要過流保護,大多數情況下,過流保護電路都附加于IGBT的驅動放大電路或模塊中,用戶通常不明白其工作原理,只能機械地使用,缺乏靈活性,更為嚴重的是,一旦IGBT損壞,通常驅動電路一并損壞,這就是說,保護電路自身不保,又如何保護IGBT。
發明內容
本發明提供一種利用IGBT驅動電路的信號作為能源,不增加外部輔助電源,將占空比較大的PWM切割成占空比較小的方波信號,以防止IGBT長時間工作于大電流飽和狀態,在不停機的前提下減小IGBT的工作電流,保證持續工作狀態下的IGBT安全的IGBT的無源保護電路。
IGBT的無源保護電路,用驅動電路的驅動信號作為電源,包括有參考電壓電路、Vce采樣電路、保護電路,參考電壓電路包括一個電阻、一個穩壓管、一個三極管的BE結,電氣連接為:驅動信號正極---電阻---穩壓管正極---穩壓管負極---三極管的BE結-驅動信號地,Vce采樣電路包括一個二極管和另一個穩壓管,電氣連接為:IGBT的C極---二極管正極---二極管負極---穩壓管的負極---穩壓管的正極---參考電壓電路中的穩壓管的正極,保護電路包括一個電阻和一個N型三極管,電阻是三極管的ESD保護回路。
保護電路的另一種形式是由包括一個電阻、一個N型三極管、一個光電耦合器,電阻是三極管的ESD保護回路,光電耦合器是一個隔離反饋元件。
本發明IGBT的無源保護電路,適用于任何IGBT驅動電路的外加保護,利用驅動電路的信號作為能源,不增加外部輔助電源,將占空比較大的PWM切割成占空比較小的方波信號,以防止IGBT長時間工作于大電流飽和狀態,在不停機的前提下減小IGBT的工作電流,保證了持續工作狀態下的IGBT的安全。
附圖說明
圖1是基本的IGBT的無源保護電路圖,圖中電阻R2、穩壓管DW2、三極管Q的基極b和發射極e組成參考電壓電路,二極管D1、穩壓管DW1組成IGBT的Vce采樣電路,三極管Q、電阻R4組成開關保護電路。
圖2是用光電耦合器作為反饋的IGBT的無源保護電路圖,圖中,電阻R2、穩壓管DW2、三極管Q的基極b和發射極e組成參考電壓電路,二極管D1、穩壓管DW1組成IGBT的Vce采樣電路,三極管Q1、電阻R4、光電耦合器OP1組成開關反饋保護電路。
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