[發明專利]半導體發光芯片

在審

• 申請號: 201610235309.8
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN105742465A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 李剛
• 申請（專利權）人: 深圳大道半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙) 44314
• 代理人: 林儉良;張秋紅

1.一種半導體發光芯片，包括具有第一表面和第二表面的襯底，在所述襯底第一表面有—至少包括n型導電層、發光層和p型導電層的半導體疊層，在所述半導體疊層表面至少有一裸露出部分n型導電層的n型電極槽位；其特征在于，所述半導體發光芯片的部分或全部裸露的、具有導電性的表面和側面被至少一絕緣層所包裹；

在所述絕緣層表面，設有至少一與n型導電層導電連接的n型焊墊、以及至少一與p型導電層導電連接的p型焊墊，所述p型焊墊和n型焊墊間彼此絕緣；

至少一所述n型導電層表面與所述n型焊墊之間設有n型金屬填平層，和/或，至少一所述p型導電層表面與所述p型焊墊之間設有p型金屬填平層。

2.根據權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于，對應所述n型導電層的所述絕緣層位置設有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述n型電極槽位內，并貫通至所述n型導電層；所述n型金屬填平層位于所述n型電極槽位內并填充所述第一凹槽；

對應所述p型導電層的所述絕緣層位置設有第二凹槽，所述第二凹槽貫通至所述p型導電層；所述p型金屬填平層填充在所述第二凹槽內。

3.根據權利要求2所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述n型金屬填平層包括填充在所述第一凹槽內并與所述n型導電層導電連接的第一n型金屬填平層、以及填充在所述n型電極槽位內的第二n型金屬填平層；

所述第二n型金屬填平層位于所述第一n型金屬填平層和所述n型焊墊之間，并與所述第一n型金屬填平層和所述n型焊墊導電連接。

4.根據權利要求2所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述n型金屬填平層包括金屬填平層，該金屬填平層設置在所述n型電極槽位內并通過所述第一凹槽與所述n型導電層導電連接。

5.根據權利要求4所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述n型金屬填平層還包括包裹在所述金屬填平層外圍的中間填平層；

所述中間填平層與所述金屬填平層和n型焊墊導電連接。

6.根據權利要求5所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述中間填平層采用鉻、鎳、鈦、鎢、鉑、鉬、鈀中的一種或若干種金屬和/或它們的合金制成。

7.根據權利要求2所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述p型導電層表面與所述絕緣層之間設有一p型電流擴展層；所述p型金屬填平層與所述p型電流擴展層導電連接；和/或，

所述n型電極槽位底面與所述絕緣層之間設有一n型電流擴展層；所述n型金屬填平層與所述n型電流擴展層導電連接；

所述p型電流擴展層包括p型導電擴展層、p型反射層、p型接觸層中的一種或多種；所述n型電流擴展層包括n型導電擴展層、n型反射層、n型接觸層中的一種或多種；或者，

所述p型電流擴展層包括p型反射層，所述n型電流擴展層包括n型反射層，所述半導體發光芯片為正面和/或側面出光；或者，所述p型電流擴展層包括p型導電擴展層、和/或p型接觸層；所述n型電流擴展層包括n型導電擴展層、和/或n型接觸層，所述半導體發光芯片為正面、背面和/或側面出光。

8.根據權利要求1所述的半導體發光芯片，其特征在于，該半導體發光芯片還包括至少一n型電極和至少一p型電極，所述n型電極和p型電極間彼此絕緣，并貫穿所述絕緣層分別與所述n型導電層和p型導電層導電連接；

所述n型電極位于所述n型電極槽位內，所述所述n型金屬填平層包裹在所述n型電極外圍，并與所述n型焊墊導電連接，所述n型焊墊通過所述n型金屬填平層和n型電極與所述n型導電層導電連接；

所述p型金屬填平層包裹在所述p型電極外圍，并與所述p型焊墊導電連接，所述p型焊墊通過所述p型金屬填平層和p型電極與所述p型導電層導電連接。

9.根據權利要求8所述的半導體發光芯片，其特征在于，所述p型導電層表面與所述絕緣層之間設有一p型電流擴展層；所述p型電極與所述p型電流擴展層導電連接；和/或，

所述n型電極槽位底面與所述絕緣層之間設有一n型電流擴展層；所述n型電極與所述n型電流擴展層導電連接；

所述p型電流擴展層包括p型導電擴展層、p型反射層、p型接觸層中的一種或多種；所述n型電流擴展層包括n型導電擴展層、n型反射層、n型接觸層中的一種或多種。