[發(fā)明專利]一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610235084.6 | 申請日： | 2016-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN107301879B | 公開（公告）日： | 2020-06-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃曉東;黃見秋 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | G11C19/28 | 分類號： | G11C19/28;H01L29/786 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吳旭 |
| 地址： | 214135 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 閾值 電壓 可調(diào) 薄膜晶體管 作為 非易失性存儲器 用途 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的方法，對閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管的頂柵施加電壓來實現(xiàn)非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，對閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管的底柵施加電壓來實現(xiàn)非易失性存儲器的“讀”操作，底柵氧化層的等效氧化層厚度TBOX、溝道層的等效氧化層厚度TIGZO以及頂柵氧化層的等效氧化層厚度TTOX滿足條件：3TBOX/(TTOX+TIGZO)1，所述溝道層為銦鎵鋅氧化物；
閾值電壓可調(diào)的薄膜晶體管包括襯底（10）、設在襯底（10）上的底柵（11），設在襯底（10）上并且覆蓋底柵（11）的底柵氧化層（12），設在底柵氧化層（12）上的溝道層（13），設在溝道層（13）上相對兩側(cè)的源極（14）、漏極（15），設在溝道層（13）上以及源極（14）、漏極（15）上的隧穿層（21），設在隧穿層（21）上的存儲層（22），設在存儲層（22）上的阻擋層（23），以及設在阻擋層（23）上的頂柵（17），頂柵（17）位于底柵（11）正上方。
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