[發明專利]一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途

有效

• 申請號: 201610235084.6
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN107301879B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 黃曉東;黃見秋
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G11C19/28
• 分類號: G11C19/28;H01L29/786
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 吳旭

1.一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的方法，對閾值電壓可調的薄膜晶體管的頂柵施加電壓來實現非易失性存儲器的“編程/擦除”操作，對閾值電壓可調的薄膜晶體管的底柵施加電壓來實現非易失性存儲器的“讀”操作，底柵氧化層的等效氧化層厚度T_BOX、溝道層的等效氧化層厚度T_IGZO以及頂柵氧化層的等效氧化層厚度T_TOX滿足條件：3T_BOX/(T_TOX+T_IGZO)1，所述溝道層為銦鎵鋅氧化物；

閾值電壓可調的薄膜晶體管包括襯底（10）、設在襯底（10）上的底柵（11），設在襯底（10）上并且覆蓋底柵（11）的底柵氧化層（12），設在底柵氧化層（12）上的溝道層（13），設在溝道層（13）上相對兩側的源極（14）、漏極（15），設在溝道層（13）上以及源極（14）、漏極（15）上的隧穿層（21），設在隧穿層（21）上的存儲層（22），設在存儲層（22）上的阻擋層（23），以及設在阻擋層（23）上的頂柵（17），頂柵（17）位于底柵（11）正上方。