[發明專利]一種N型太陽能電池的金屬化方法和電池及組件、系統在審
| 申請號: | 201610231739.2 | 申請日: | 2016-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN105742378A | 公開(公告)日: | 2016-07-06 |
| 發明(設計)人: | 林建偉;季根華;劉志鋒;孫玉海;張育政 | 申請(專利權)人: | 泰州中來光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司: | 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建軍;劉卓夫 |
| 地址: | 225500 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 金屬化 方法 電池 組件 系統 | ||
1.一種N型太陽能電池的金屬化方法,其特征在于:對N型晶體硅基體進行處理,在N型晶體硅基體的正表面形成依次從內到外的p+摻雜區域和正表面鈍化減反膜;在N型晶體硅基體的背表面形成依次從內到外的n+摻雜區域和背表面鈍化膜;在N型晶體硅基體的正表面形成穿透鈍化減反膜的槽狀結構,在N型晶體硅基體的背表面使用銀漿印刷背面電極;然后在槽狀結構上印刷鋁漿形成正面副柵,之后印刷摻鋁銀漿或者銀漿形成正面主柵,燒結后得到N型太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的一種N型太陽能電池的金屬化方法,其特征在于:N型晶體硅基體的正表面包括穿透鈍化減反膜的多個槽狀結構,多個所述槽狀結構相互平行。
3.根據權利要求1所述的一種N型太陽能電池的金屬化方法,其特征在于:在N型晶體硅基體的正表面形成穿透鈍化減反膜的槽狀結構的方法是使用激光器刻蝕法或者漿料刻蝕法。
4.根據權利要求1所述的一種N型太陽能電池的金屬化方法,其特征在于:燒結N型太陽能電池的燒結峰值溫度為不高于900℃。
5.一種N型太陽能電池,包括N型晶體硅基體,所述N型晶體硅基體的正表面包括依次從內到外的p+摻雜區域和正表面鈍化減反膜;所述N型晶體硅基體的背表面包括依次從內到外的n+摻雜區域和背表面鈍化膜;其特征在于:所述N型晶體硅基體的背表面包括背面電極,所述N型晶體硅基體的正表面包括穿透所述鈍化減反膜的槽狀結構、正面副柵和正面主柵,所述正面副柵填充在所述槽狀結構內并與所述p+摻雜區域形成歐姆接觸。
6.根據權利要求5所述的一種N型太陽能電池,其特征在于:所述正面副柵是鋁正面副柵,所述正面主柵是銀正面主柵或者銀鋁合金正面主柵。
7.根據權利要求5所述的一種N型太陽能電池,其特征在于:所述背面電極是由背面主柵和背面副柵構成的H型柵線,所述背面主柵的線寬為0.5-3mm,所述背面副柵的線寬為20-60μm。
8.根據權利要求5所述的一種N型太陽能電池,其特征在于:所述槽狀結構的寬度為20-60μm。
9.根據權利要求5所述的一種N型太陽能電池,其特征在于:所述鈍化減反膜是SiO2、SiNx或Al2O3介質膜中的一種或多種,所述鈍化膜是SiO2和SiNx介質膜組成的復合介質膜。
10.根據權利要求5所述的一種N型太陽能電池,其特征在于:所述N型晶體硅基體的厚度為50-300μm;p+摻雜區域的摻雜深度為0.5-2.0μm;所述鈍化減反膜的厚度為70-110nm;所述鈍化膜的厚度為不低于20nm;所述n+摻雜區域的摻雜深度為0.5-2.0μm。
11.根據權利要求5~10任一所述的一種N型太陽能電池,其特征在于:所述槽狀結構的形狀為連續的線條狀結構、非連續的線條狀結構或者非連續的圓點狀結構。
12.一種N型太陽能電池組件,包括由上至下依次設置的前層材料、封裝材料、N型太陽能電池、封裝材料、背層材料,其特征在于:所述N型太陽能電池是權利要求5-11任一所述的一種N型太陽能電池。
13.一種N型太陽能電池系統,包括一個或多于一個串聯的N型太陽能電池組件,其特征在于:所述N型太陽能電池組件是權利要求12所述的一種N型太陽能電池組件。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于泰州中來光電科技有限公司,未經泰州中來光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610231739.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種基于三元對等鑒別的可信網絡連接系統
- 下一篇:聚光電池模組的封裝方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





