[發明專利]一種多晶硅錠及其制備方法有效
| 申請號： | 201610230120.X | 申請日： | 2016-04-14 |
| 公開（公告）號： | CN105755537B | 公開（公告）日： | 2018-04-17 |
| 發明（設計）人： | 雷琦;胡動力;何亮;張學日 | 申請（專利權）人： | 江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司44202 | 代理人： | 郝傳鑫,熊永強 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 及其 制備 方法 | ||
1.一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括：
在坩堝底部中心鋪設普通籽晶形成第一籽晶層，在坩堝底部靠近坩堝側壁的區域鋪設具有高密度晶體缺陷的籽晶，形成第二籽晶層；所述具有高密度晶體缺陷的籽晶為平均位錯密度大于1×106/cm2的籽晶；所述第二籽晶層形成在所述第一籽晶層四周，所述第一籽晶層和第二籽晶層完全覆蓋所述坩堝底部；
在所述第一籽晶層和第二籽晶層上設置熔融狀態的硅料，控制所述坩堝底部的溫度，使所述第一籽晶層和第二籽晶層不被完全熔化；
控制坩堝內熱場形成過冷度，并控制所述坩堝內的溫度沿垂直于所述坩堝底部向上的方向逐漸上升形成溫度梯度，使得熔化后的硅料在未熔化的第一籽晶層和第二籽晶層上結晶凝固，待全部結晶完后，經退火冷卻得到多晶硅錠。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二籽晶層的寬度為1-3cm，所述第二籽晶層的厚度為1-3cm。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一籽晶層的厚度為1-3cm。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二籽晶層的厚度小于或等于所述第一籽晶層的厚度。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，當所述第二籽晶層的厚度小于所述第一籽晶層的厚度時，進一步在所述第二籽晶層上鋪設所述普通籽晶形成第三籽晶層。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述結晶凝固過程中控制過冷度為-1K～-30K。
7.如權利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述第一籽晶層和所述第三籽晶層的普通籽晶為單晶或多晶，所述普通籽晶的平均位錯密度小于1×104/cm2。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有高密度晶體缺陷的籽晶為單晶或多晶。
9.如權利要求1-8任一項所述的方法制備得到的多晶硅錠。
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