[發明專利]非遮光型薄膜晶體管、陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201610228688.8
• 申請日: 2016-04-13
• 公開（公告）號: CN105655410B
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 邸云萍
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/16;H01L27/12
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435
• 代理人: 郭棟梁

1.一種非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，包括形成在襯底基板一側的柵極、柵絕緣層、微晶硅有源層、非晶硅有源層、源極和漏極、鈍化層；在垂直于所述襯底基板的方向上，所述微晶硅有源層探出于所述柵極，所述源極和漏極均延伸至所述柵極之內；所述非晶硅有源層形成于所述微晶硅有源層之上、并位于所述源極和漏極之間，所述非晶硅有源層在所述襯底基板上的正投影，與所述源極和漏極在所述襯底基板上的正投影之間無重疊區域。

2.根據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述微晶硅層與所述源極和漏極之間均隔設有N⁺微晶硅層。

3.根據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述非晶硅有源層較所述微晶硅有源層厚。

4.據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述微晶硅有源層的厚度為30nm～50nm。

5.根據權利要求4所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述微晶硅有源層由內至外依次包括厚度為20nm～30nm晶化率為70％～80％的第一微晶硅薄膜層、厚度為10nm～20nm晶化率為60％～70％的第二微晶硅薄膜層和厚度為10nm～20nm晶化率為50％～60％的第三微晶硅薄膜層。

6.根據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述非晶硅有源層的厚度為40nm～60nm。

7.根據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，在所述微晶硅有源層與所述非晶硅有源層之間設有過渡層，所述過渡層為厚度為10nm～20nm晶化率為40％～50％的膜層。

8.根據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層的主要材質為SiNx。

9.根據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述柵絕緣層的厚度為350nm～450nm。

10.根據權利要求1所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，還包括鈍化層，所述鈍化層包覆在所述源極、漏極和非晶硅有源層之外。

11.根據權利要求10所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述鈍化層的材質為SiNx。

12.根據權利要求10所述的非遮光型薄膜晶體管，其特征在于，所述鈍化層的厚度為400nm～600nm。

13.一種陣列基板，其特征在于，包括如權利要求1-12任一項所述的非遮光型薄膜晶體管。

14.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1-12任一項所述的非遮光型薄膜晶體管。