[發明專利]存儲器結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201610227245.7
• 申請日: 2016-04-13
• 公開（公告）號: CN107302006B
• 公開（公告）日: 2020-01-07
• 發明（設計）人: 賴二琨;蔣光浩
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器結構，包括：

一底氧化層；

一第一導體層，位于該底氧化層上；

一第一絕緣凹槽，穿過該第一導體層且位于該底氧化層上，該第一絕緣凹槽具有一第一寬度；

多個絕緣層，位于該第一導體層上；

多個第二導體層，與這些絕緣層交錯疊層，且和該第一導體層電性隔離；

一第二絕緣凹槽，穿過這些絕緣層和這些第二導體層且位于該第一絕緣凹槽上，該第二絕緣凹槽具有一第二寬度，該第二寬度大于該第一寬度；

一通道層，位于該第二絕緣凹槽的至少一側壁上；以及

一存儲層，位于該通道層與這些第二導體層之間；

其中該通道層具有一垂直延伸段和一水平延伸段，該水平延伸段位于這些第二導體層之上，該存儲器結構更包括：一硬掩模層，位于該通道層上，其中該硬掩模層具有一延伸段，該延伸段位于該通道層的該水平延伸段上，且該硬掩模層的該延伸段的延伸長度大于該通道層的該水平延伸段的延伸長度。

2.根據權利要求1所述的存儲器結構，其中該通道層更位于該第二絕緣凹槽的一底面上，該第一導體層和這些第二導體層分別包括多晶硅或鎢。

3.根據權利要求1所述的存儲器結構，其中該第一導體層具有一厚度為1500～4000埃，該第一絕緣凹槽的該第一寬度為15～30納米，該第二絕緣凹槽的該第二寬度為70～120納米。

4.根據權利要求1所述的存儲器結構，該存儲器結構更包括：

一低溫氧化物層，位于該硬掩模層上，且完全覆蓋該硬掩模層的該延伸段。

5.根據權利要求1所述的存儲器結構，更包括：

一貫穿開口，穿過這些絕緣層、這些第二導體層和該第一導體層，且位于該底氧化層上；以及

一頂氧化層，位于這些絕緣層和這些第二導體層上。

6.一種存儲器結構的制造方法，包括：

形成一底氧化層；

形成一第一導體層于該底氧化層上；

形成一第一絕緣凹槽，該第一絕緣凹槽穿過該第一導體層且位于該底氧化層上，該第一絕緣凹槽具有一第一寬度；

形成多個絕緣層于該第一導體層上；

形成多個第二導體層，這些第二導體層與這些絕緣層交錯疊層，且和該第一導體層電性隔離；

形成一第二絕緣凹槽，該第二絕緣凹槽穿過這些絕緣層和這些第二導體層且位于該第一絕緣凹槽上，該第二絕緣凹槽具有一第二寬度，該第二寬度大于該第一寬度；

形成一通道層于該第二絕緣凹槽的至少一側壁上；以及

形成一存儲層于該通道層與這些第二導體層之間；

其中該通道層具有一垂直延伸段和一水平延伸段，該水平延伸段位于這些第二導體層之上，該存儲器結構的制造方法更包括：形成一硬掩模層于該通道層上，其中該硬掩模層具有一延伸段，該延伸段位于該通道層的該水平延伸段上，且該硬掩模層的該延伸段的延伸長度大于該通道層的該水平延伸段的延伸長度。

7.根據權利要求6所述的存儲器結構的制造方法，其中該通道層更位于該第二絕緣凹槽的一底面上，該第一導體層和這些第二導體層分別包括多晶硅或鎢。

8.根據權利要求6所述的存儲器結構的制造方法，其中該第一導體層具有一厚度為1500～4000埃，該第一絕緣凹槽的該第一寬度為15～30納米，該第二絕緣凹槽的該第二寬度為70～120納米。

9.根據權利要求6所述的存儲器結構的制造方法，該存儲器結構的制造方法更包括：

形成一低溫氧化物層于該硬掩模層上，且完全覆蓋該硬掩模層的該延伸段。

10.根據權利要求6所述的存儲器結構的制造方法，更包括：

形成一貫穿開口，該貫穿開口穿過這些絕緣層、這些第二導體層和該第一導體層，且位于該底氧化層上；以及

形成一頂氧化層于這些絕緣層和這些第二導體層上。