[發明專利]高耐壓半導體裝置

有效

• 申請號: 201610227239.1
• 申請日: 2016-04-13
• 公開（公告）號: CN107293540B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 林鑫成;江小玲
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L23/64
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 湯在彥

1.一種高耐壓半導體裝置，其特征在于，所述的高耐壓半導體裝置包括：

一金屬氧化半導體裝置，包括：

一源極和一漏極，所述漏極包括：多個指狀部；

一漏極絕緣區，毗鄰所述漏極；及

一柵極，毗鄰所述源極；以及

一電阻裝置，形成在所述漏極絕緣區上且電性連接所述漏極的多個指狀部的其中之一；

所述電阻裝置由多個電阻區段連接而成，且每一所述電阻區段的形狀包括弧形。

2.如權利要求1所述的高耐壓半導體裝置，其特征在于，所述的電阻裝置由多晶硅或金屬形成。

3.如權利要求1所述的高耐壓半導體裝置，其特征在于，所述的電阻裝置的所述電阻區段的弧形包括半月形或C形。

4.一種高耐壓半導體裝置，其特征在于，所述的高耐壓半導體裝置包括：

一指狀漏極區，具有多個漏極指狀部；

一源極區，包圍所述指狀漏極區，具有對應于所述漏極指狀部的多個源極袋狀部；

一絕緣區，形成于所述指狀漏極區及所述源極區之間，且毗鄰所述指狀漏極區；

一柵極區，形成于所述絕緣區和所述源極區之間；以及

一電阻裝置，形成于所述絕緣區上，且和所述指狀漏極區的所述指狀部其中之一電性連接；

其中，所述電阻裝置由多個電阻區段連接而成，每一所述電阻區段是弧形、半月形或C形。

5.如權利要求4所述的高耐壓半導體裝置，其特征在于，所述的電阻裝置由多晶硅或金屬形成。

6.如權利要求4所述的高耐壓半導體裝置，其特征在于，所述的電阻裝置的所述電阻區段，從所述指狀漏極區的所述指狀部其中之一向其所對應的一源極袋狀部的底部延伸，且愈靠近底部者的所述電阻區段長度愈長。