[發(fā)明專利]一種碲化鎘量子點與水滑石Langmiur-Blodgett復(fù)合發(fā)光薄膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610225840.7
• 申請日: 2016-04-12
• 公開（公告）號: CN105694893A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸軍;田澤耘
• 申請（專利權(quán)）人: 北京化工大學(xué)
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02
• 代理公司: 北京太兆天元知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11108
• 代理人: 張洪年

1.一種碲化鎘量子點與水滑石Langmiur-Blodgett復(fù)合發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在 于，其具體操作步驟為：

1)將水滑石前體加入甲酰胺溶劑里進行剝離，加入量為0.5-1.5g/L，攪拌速度為3000-5000 轉(zhuǎn)/分，反應(yīng)12-36小時后離心，棄去沉淀物，得到澄清透明膠體溶液，稀釋至0.01-0.5g/L， 使用0.1-0.4mol/L的NaOH溶液調(diào)節(jié)PH至9-9.5，記為溶液A；

2)用0.1-0.4mol/L的NaOH溶液調(diào)節(jié)親水性碲化鎘量子點溶液的pH值至9-9.5，記為 膠體溶液B；

3)將兩親性分子溶解在有機溶劑中，然后滴加到溶液A中，待有機溶劑揮發(fā)，兩親性 分子均勻平鋪，控制膜壓為20-40mNm^-1，將基底進行疏水化處理，然后使用LB拉膜機提拉 制得水滑石LB膜；再放置于膠體溶液B中，浸泡10-20分鐘并充分清洗，得到一次循環(huán)的 碲化鎘量子點與水滑石Langmiur-Blodgett復(fù)合發(fā)光薄膜；

4)重復(fù)步驟3)，交替在溶液A中提拉操作和膠體溶液B中浸泡操作1-10次，得到多 層碲化鎘量子點與水滑石Langmiur-Blodgett復(fù)合發(fā)光薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的水滑石前體的層間陰離子為 NO₃^—或者Cl^—，層板上二價金屬陽離子與三價金屬陽離子摩爾比為2.0-4.0；所述的二價金屬 陽離子為Mg²⁺、Co²⁺、Ni²⁺、Ca²⁺、或Cu²⁺，三價金屬陽離子為Al³⁺、Cr³⁺、Co³⁺或Fe³⁺；所 述的水滑石前體采用共沉淀法、尿素法、離子交換法或水熱法合成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的親水性碲化鎘量子點溶液的 制備方法為：在氮氣保護與攪拌條件下，向濃度為0.002-0.004mol/L的乙酸鎘溶液中加入巰 基丙酸，用0.1-0.4mol/L的NaOH溶液調(diào)節(jié)pH值為10.5-11，再加入濃度為0.0004-0.0008 mol/L的碲酸鉀溶液和硼氫化鈉，100-120℃加熱回流0.5-10h，其中乙酸鎘、巰基丙酸、碲酸 鉀、硼氫化鈉的摩爾比范圍為1:1:0.2:5-20。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的基底為石英片、硅片或玻璃 片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的疏水化處理的方法為：將基 底用鉻酸溶液浸泡6-8h，然后用去離子水充分清洗后，然后浸泡于3-5wt％的NaOH溶液中 10-12h，水洗，最后浸泡于體積濃度為10-15％的三甲基氯硅烷的氯仿溶液中20-30min，取出 干燥。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述的親水性碲化鎘量子點的制備 方法中乙酸鎘、巰基丙酸、碲酸鉀、硼氫化鈉的摩爾比范圍為1:1:0.2:5-9，100-120℃加熱回 流1-10h，最終可得到發(fā)綠光的碲化鎘量子點與水滑石Langmiur-Blodgett復(fù)合發(fā)光薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述的親水性碲化鎘量子點的制備 方法中乙酸鎘、巰基丙酸、碲酸鉀、硼氫化鈉的摩爾比范圍為1:1:0.2:10-14，100-120℃加熱 回流3-10h，最終可得到發(fā)黃光的碲化鎘量子點與水滑石Langmiur-Blodgett復(fù)合發(fā)光薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述的親水性碲化鎘量子點的制備 方法中乙酸鎘、巰基丙酸、碲酸鉀、硼氫化鈉的摩爾比范圍為1:1:0.2:15-20，100-120℃加熱 回流9-10h，最終可得到發(fā)紅光的碲化鎘量子點與水滑石Langmiur-Blodgett復(fù)合發(fā)光薄膜。