[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610225744.2 | 申請日: | 2012-02-10 |
| 公開(公告)號: | CN105762167B | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 瀨尾哲史;佐佐木俊毅;大澤信晴;牛窪孝洋;山崎舜平 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L27/32;H01L33/40;H01L33/44;H01L51/52 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 賈成功 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 裝置 顯示裝置 | ||
本發(fā)明的一個方式提供一種高生產性地制造顯示裝置的技術方案。此外,本發(fā)明的一個方式提供高色純度且高清晰的顯示裝置。通過根據透過彩色濾光層的光的范圍的中心波長調整具有反射性的電極與發(fā)光層之間的光程,以不分別涂敷發(fā)光層的方式提供高色純度且高清晰的顯示裝置。發(fā)光元件層疊有不同發(fā)光顏色的多個發(fā)光層,并且發(fā)光層離具有反射性的電極越近,由發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長越短。
本申請是申請?zhí)枮?01210028860.7、申請日為2012年02月10日、發(fā)明名稱為“發(fā)光裝置及顯示裝置”的中國專利申請的分案申請。
技術領域
本發(fā)明的一個方式涉及電致發(fā)光顯示裝置及該顯示裝置的制造方法。
背景技術
近年來,作為實現了薄型、輕量的顯示裝置(所謂的平面顯示器),電致發(fā)光(EL;Electroluminescence,下面也寫為EL)顯示裝置受到關注。
在EL顯示裝置中通過將使用發(fā)射各種顏色的光的發(fā)光材料的發(fā)光元件分別作為用于各個像素的發(fā)光元件,能夠進行全彩色顯示。
該EL顯示裝置采用如下制造方法:通過使用金屬掩模的蒸鍍法以形成精細的圖案的方式對每個像素分別涂敷不同的發(fā)光材料。
但是,有可能因為金屬掩模接觸而導致發(fā)光元件的形狀不良及發(fā)光不良等,所以對其對策進行了研究(例如,參照專利文獻1)。在專利文獻1中公開了為了不使金屬掩模和像素電極在進行蒸鍍時接觸而在像素電極上設置用來支撐金屬掩模的間隔物的結構。
[專利文獻1]日本專利申請公開2006-126817號公報
由于對每個像素分別涂敷發(fā)光材料的方法的工序復雜,所以難以提高成品率或生產性。
發(fā)明內容
本發(fā)明的一個方式的目的之一在于提供一種高生產性地制造顯示裝置的技術方案。
此外,本發(fā)明的一個方式的目的之一在于提供一種高色純度且高清晰的顯示裝置。
本發(fā)明的一個方式通過根據彩色濾光層的中心波長調整具有反射性的電極與發(fā)光層之間的光程,而在無需分別對發(fā)光層進行涂敷的情況下提供高色純度且高清晰的顯示裝置。發(fā)光元件層疊有不同發(fā)光顏色的多個發(fā)光層,并且離具有反射性的電極越近的發(fā)光層,發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長越短。更具體而言,例如采用下面的結構。
本發(fā)明的一個方式為一種顯示裝置,具有包括第一彩色濾光層的第一像素以及包括第二彩色濾光層的第二像素,其中,第一像素具有包括第一具有反射性的電極的第一發(fā)光元件,第二像素具有包括第二具有反射性的電極的第二發(fā)光元件,第一發(fā)光元件包括依次層疊在第一具有反射性的電極上的第一發(fā)光層、電荷產生層、第二發(fā)光層以及具有透光性的電極,第二發(fā)光元件包括依次層疊在第二具有反射性的電極上的第一發(fā)光層、電荷產生層、第二發(fā)光層以及具有透光性的電極,在第一像素中,第一具有反射性的電極與第一發(fā)光層之間的光程為透過第一彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長的1/4,在第二像素中,第二具有反射性的電極與第二發(fā)光層之間的光程為透過第二彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長的m/4倍(m為3以上的奇數),優(yōu)選為3/4,并且透過第一彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長比透過第二彩色濾光層的光的波長范圍的中心波長短。
在上述結構中,由第一發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長比由第二發(fā)光層發(fā)射的光的顏色的波長短。此外,第二發(fā)光元件也可以采用在第二具有反射性的電極與第一發(fā)光層之間包括具有透光性的導電層的結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





