[發(fā)明專利]AMOLED像素驅(qū)動電路及像素驅(qū)動方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610225696.7
• 申請日: 2016-04-12
• 公開（公告）號: CN105741781B
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 聶誠磊
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G09G3/3233
• 分類號: G09G3/3233
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路及驅(qū)動方法，利用雙柵極薄膜晶體管作為驅(qū)動薄膜晶體管，在預(yù)充電階段使第一薄膜晶體管(T1)即驅(qū)動薄膜晶體管的底柵(BG)寫入預(yù)設(shè)電壓(V_pre)，頂柵(TG)寫入電源電壓(VDD)；在閾值電壓編程階段使第一薄膜晶體管(T1)的頂柵(TG)電壓降低、而閾值電壓升高，直至閾值電壓提升至Vth＝V_pre?V_OLED；在驅(qū)動發(fā)光階段，第一薄膜晶體管(T1)的頂柵(TG)電壓保持不變，維持其閾值電壓仍為Vth＝V_pre?V_OLED，數(shù)據(jù)信號(Data)驅(qū)動第一薄膜晶體管(T1)導(dǎo)通，使有機(jī)發(fā)光二極管(D1)發(fā)光，流過有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的電流與第一薄膜晶體管(T1)的閾值電壓和有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的閾值電壓都無關(guān)，既能夠補(bǔ)償閾值電壓漂移，又能夠簡化數(shù)據(jù)信號。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED像素驅(qū)動電路及像素驅(qū)動方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。OLED顯示裝置按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

AMOLED是電流驅(qū)動器件，當(dāng)有電流流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管時，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且發(fā)光亮度由流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管自身的電流決定。大部分已有的集成電路(IntegratedCircuit，IC)都只傳輸電壓信號，故AMOLED的像素驅(qū)動電路需要完成將電壓信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘柕娜蝿?wù)。在一般的AMOLED像素驅(qū)動電路中均存在兩個薄膜晶體管與一個電容，簡稱為2T1C像素電路。第一個薄膜晶體管被稱為開關(guān)薄膜晶體管，用于控制數(shù)據(jù)信號的進(jìn)入，第二個薄膜晶體管被稱為驅(qū)動薄膜晶體管，用于控制通過機(jī)發(fā)光二極管的電流，因此驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓Vth的重要性便十分明顯，Vth的正向或負(fù)向漂移都有會使得在相同數(shù)據(jù)信號下有不同的電流通過發(fā)光二極管。

現(xiàn)有技術(shù)制作出的薄膜晶體管在使用過程中均會發(fā)生閾值電壓漂移的現(xiàn)象，同時有機(jī)發(fā)光二極管在長時間使用后也會產(chǎn)生閾值電壓漂移，導(dǎo)致通過有機(jī)發(fā)光二極管的電流與想要的電流不一致，面板亮度因此也達(dá)不到要求。

一般的2T1C電路中閾值電壓的漂移無法通過調(diào)節(jié)得到改善，因此需要通過添加新的薄膜晶體管或新的信號的方式來減弱閾值電壓漂移帶來的影響，即使得AMOLED像素驅(qū)動電路具有補(bǔ)償功能。目前，大部分使用傳統(tǒng)的單柵極薄膜晶體管作為驅(qū)動薄膜晶體管的AMOLED像素驅(qū)動電路，通過探測驅(qū)動薄膜晶體管閾值電壓，然后根據(jù)閾值電壓的漂移程度調(diào)整所需輸入的數(shù)據(jù)信號的大小，但是單柵極薄膜晶體管在受到電壓、光照等應(yīng)力作用后，閾值電壓通常向正向漂移而增大，因此數(shù)據(jù)信號也要相應(yīng)增大，以減弱驅(qū)動薄晶體管閾值電壓漂移的影響，而數(shù)據(jù)信號的增大又進(jìn)一步增加了驅(qū)動薄晶體管的電壓應(yīng)力作用，加快了驅(qū)動薄晶體管的閾值電壓漂移，形成惡性循環(huán)。