[發明專利]影像傳感芯片的封裝結構及其制作方法有效
| 申請號: | 201610224955.4 | 申請日: | 2016-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN105702696B | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 肖智軼;豆菲菲 | 申請(專利權)人: | 華天科技(昆山)電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/56 |
| 代理公司: | 昆山四方專利事務所 32212 | 代理人: | 盛建德;段新穎 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像 傳感 芯片 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種影像傳感芯片的封裝結構,其特征在于:包括影像傳感芯片(1)、蓋板(2)、透光基板(3)、軟板(4)和散熱板(5),所述影像傳感芯片的功能面包含感光區(101)和位于感光區周圍的若干焊墊(102);所述蓋板包含第一表面和與其相對的第二表面,所述第一表面上形成有第一凹槽(201),所述第二表面形成有與所述第一凹槽相對的第二凹槽(202),所述第一凹槽與所述第二凹槽之間貫通形成通光孔(203),所述通光孔的尺寸不小于所述影像傳感芯片的感光區的尺寸,且不大于所述影像傳感芯片的尺寸;所述透光基板鍵合于所述第一凹槽內或所述通光孔靠近所述第一凹槽處;所述第二凹槽底部除通光孔外的部分上形成有金屬互連結構,所述金屬互連結構包含與所述影像傳感芯片的焊墊對應鍵合的第一導電結構(6),該金屬互連結構的電性自所述第一導電結構引至第二表面上的第二導電結構(7);所述影像傳感芯片放置于所述第二凹槽內,并使其感光區正對所述通光孔,使其焊墊與所述金屬互連結構上對應的第一導電結構鍵合連接;所述第二導電結構與所述軟板的一面鍵合,所述軟板的另一面及所述影像傳感芯片的非功能面結合于所述散熱板。
2.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構,其特征在于:所述金屬互連結構包括依次鋪設于所述第二凹槽及所述第二表面上的絕緣層(8)、金屬線路層(9)和防焊層(10),所述第二凹槽底部的防焊層上預留有暴露出金屬線路的與若干所述焊墊對應的若干第一開口(11),所述第一開口處形成所述第一導電結構;所述第二表面上的防焊層上預留有暴露出金屬線路的若干第二開口(12),所述第二開口處形成所述第二導電結構。
3.根據權利要求2所述的影像傳感芯片的封裝結構,其特征在于:所述蓋板第二表面與所述軟板之間形成有密封環。
4.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構,其特征在于:所述第一凹槽的尺寸大于所述通光孔的尺寸,所述透光基板鍵合于所述第一凹槽的底部,且所述透光基板與所述第一凹槽的開口平齊。
5.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構,其特征在于:所述第一凹槽的尺寸小于所述通光孔的尺寸,所述透光基板鍵合于所述通光孔與所述第一凹槽的結合處。
6.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構,其特征在于:所述通光孔的側壁上覆蓋有防反射層,且所述通光孔高度不小于200um。
7.根據權利要求1所述的影像傳感芯片的封裝結構,其特征在于:所述透光基板為IR濾光玻璃,并且IR濾光玻璃上覆蓋有介質層(301),所述介質層正對所述通光孔位置形成透光孔。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





