[發明專利]單晶硅錠及晶圓的形成方法在審
| 申請號： | 201610224914.5 | 申請日： | 2016-04-12 |
| 公開（公告）號： | CN107287655A | 公開（公告）日： | 2017-10-24 |
| 發明（設計）人： | 肖德元 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B13/12 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金華 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單晶硅 形成 方法 | ||
1.一種單晶硅錠的形成方法，其利用區熔法形成單晶硅錠，其特征在于，在熔融區的硅中通入含有氘元素的氣體。
2.如權利要求1所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，所述氣體為氘氣。
3.如權利要求1所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，所述氣體為氘氣與氬氣、氫氣或氮氣中的一種或多種氣體的混合氣體。
4.如權利要求3所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，所述氣體為氘氣與氬氣的混合氣體。
5.如權利要求4所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，所述氘氣與氬氣的百分比為0.1％～99％。
6.如權利要求1～5中任一項所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，所述氣體還包括摻雜氣體，所述摻雜氣體為PH3、AsH3或B2H6。
7.如權利要求6所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，所述含有氘元素的氣體通入熔融區的硅中，通過以下方式進行：由設置于單晶制造裝置中環繞原料棒并與射頻加熱線圈固定連接的氣體噴射器噴射至熔融區的硅中。
8.如權利要求7所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，在通入熔融區之前，所述含有氘元素的氣體在氣體混合箱中進行混合。
9.如權利要求7所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，移動設置于單晶制造裝置中的射頻線圈與氣體噴射器使得熔融區從原料棒的一端移動到另一端。
10.如權利要求9所述的單晶硅錠的形成方法，其特征在于，重復上述步驟一次或多次，并且在重復時不通入氣體。
11.一種晶圓的形成方法，采用單晶硅錠作為原始材料形成晶圓，其特征在于，所述單晶硅錠采用如權利要求1～10中任一項所述的單晶硅錠的形成方法形成，所述晶圓中含有氘元素。
12.如權利要求11所述的晶圓的形成方法，其特征在于，包括步驟：
對所述單晶硅錠依次進行切薄、表面磨削、拋光、邊緣處理及清洗處理，形成晶圓。
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