[發明專利]芯片器件及其制作方法

有效

• 申請號: 201610224118.1
• 申請日: 2016-04-12
• 公開（公告）號: CN107290326B
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發明（設計）人: 潘革波;秦雙嬌;彭飛;陳雪晴
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

1.一種芯片器件，其特征在于，包括：基底、納米顆粒層以及多孔層；其中，所述基底的表面凹陷形成間隔排列的多個凹槽，每個所述凹槽的槽壁以及位于相鄰的兩個所述凹槽之間的所述基底的表面上覆蓋所述多孔層，所述納米顆粒層覆蓋所述多孔層；其中，所述凹槽的形狀選自立方體、長方體、圓柱、圓錐中的任意一種；

其中，所述多孔層中孔的寬度為10nm～50nm，深度為10nm～1μm。

2.根據權利要求1所述的芯片器件，其特征在于，所述納米顆粒層的制作材料選自金納米顆粒、銀納米顆粒、銅納米顆粒、過渡金屬氧化物納米顆粒中的任意一種。

3.根據權利要求1或2所述的芯片器件，其特征在于，所述納米顆粒層中納米顆粒的粒徑為10nm～50nm，間距為1nm～10nm。

4.根據權利要求1所述的芯片器件，其特征在于，所述凹槽的深度為10nm～1μm。

5.根據權利要求1所述的芯片器件，其特征在于，所述基底由有機聚合物材料或半導體材料或金屬材料制成。

6.一種芯片器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底的表面上形成間隔排列的多個凹槽；其中，所述凹槽的形狀選自立方體、長方體、圓柱、圓錐中的任意一種；

在每個所述凹槽的槽壁以及位于相鄰的兩個所述凹槽之間的所述基底的表面上形成多孔層，所述多孔層中孔的寬度為10nm～50nm，深度為10nm～1μm；

在所述多孔層上形成納米顆粒層。

7.根據權利要求6所述的芯片器件的制作方法，其特征在于，在所述基底的表面上形成間隔排列的多個所述凹槽的具體方法包括：

對所述基底的表面進行圖形化處理，以在所述基底的表面上形成間隔排列的多個介質掩膜層；

對相鄰的兩個所述介質掩膜層之間暴露出的所述基底的表面進行刻蝕，以形成所述凹槽；

將所述多個介質掩膜層剝離去除。

8.根據權利要求7所述的芯片器件的制作方法，其特征在于，對所述基底的表面進行圖形化處理，以在所述基底的表面上形成間隔排列的多個所述介質掩膜層的具體方法包括：

在所述基底的表面上覆蓋壓印膠層；

采用壓印模板對所述壓印膠層進行壓印，以在所述基底上形成多個介質掩膜層和多個殘余層；其中，所述介質掩膜層和所述殘余層交替排布；

將所述多個殘余層刻蝕去除。