[發(fā)明專利]機(jī)械卡盤有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610223449.3 | 申請日: | 2016-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN107287573B | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張璐 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/50 | 分類號: | C23C14/50 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 機(jī)械 卡盤 | ||
1.一種機(jī)械卡盤,包括用于承載晶片的基座以及卡環(huán)組件,所述卡環(huán)組件包括卡環(huán)、絕緣環(huán)和遮擋環(huán),其中,所述卡環(huán)用于固定所述晶片;所述絕緣環(huán)設(shè)置在所述卡環(huán)上,用于支撐所述遮擋環(huán),所述遮擋環(huán)用于遮擋所述卡環(huán)的上表面,其特征在于,所述卡環(huán)包括環(huán)狀本體,所述環(huán)狀本體采用絕緣材料制作;并且,在所述環(huán)狀本體的內(nèi)周壁上設(shè)置有壓緊部,用以壓住所述晶片上表面的邊緣區(qū)域;所述壓緊部采用金屬材料制作,以減小所述遮擋環(huán)與所述卡環(huán)之間金屬的相對面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,所述壓緊部包括多個壓爪,所述多個壓爪沿所述環(huán)狀本體的周向間隔分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,在每個所述壓爪的內(nèi)側(cè)設(shè)置有凸部,所述凸部的下表面與所述晶片上表面之間具有間隙,用以遮擋所述壓爪與所述晶片的接觸位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,所述壓緊部包括一個閉合的環(huán)體,所述環(huán)體嵌套在所述環(huán)狀本體的內(nèi)周壁上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,在所述環(huán)體的內(nèi)側(cè)設(shè)置有環(huán)形凸部,所述環(huán)形凸部的下表面與所述晶片上表面之間具有間隙,用以遮擋所述環(huán)體與所述晶片的接觸位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,在所述卡環(huán)的上表面設(shè)置有環(huán)形凹槽,所述絕緣環(huán)的下部內(nèi)嵌在所述環(huán)形凹槽中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,所述絕緣環(huán)疊置在所述卡環(huán)的上表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,所述卡環(huán)具有配重部,用以增大所述卡環(huán)的重量,使之足以實現(xiàn)對所述晶片的固定。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,所述配重部設(shè)置在所述環(huán)狀本體的底部,或者內(nèi)嵌在所述環(huán)狀本體中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的機(jī)械卡盤,其特征在于,所述配重部為閉合的環(huán)體,或者由多個分體組成。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





