[發明專利]基于氮化鎵核探測器結構的雙面氮化鎵薄膜外延生長方法

在審

• 申請號: 201610222824.2
• 申請日: 2016-04-12
• 公開（公告）號: CN105755535A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 李亮;羅偉科
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02;C30B29/38;H01L33/00
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.基于氮化鎵核探測器結構的雙面氮化鎵薄膜外延生長方法，其特征是包括如下步驟：

（1）將氮化鎵襯底放入金屬有機物化學氣相沉積系統中（鎵面朝上），通入氫氣作為載氣，同時通入氨氣進行保護，其流量為2000～3000sccm，在高溫1000～1050℃、反應腔壓強100～200torr下加熱烘烤0.5～1min，清潔襯底表面；

（2）降低溫度至900～950℃，反應腔壓強100～200torr，繼續通入氨氣，其流量為2000～3000sccm，同時通入三甲基鎵和硅烷，外延生長n型鎵面氮化鎵薄膜，三甲基鎵流量為20～30sccm，硅烷流量為1～1.5sccm；

（3）待n型鎵面氮化鎵薄膜生長結束后，反應腔降溫過程中，停止通入三甲基鎵和硅烷，繼續通入氨氣進行保護；

（4）反應腔溫度降至常溫后，將氮化鎵襯底翻轉后再次放入反應腔中（氮面朝上），氫氣作為載氣，同時通入氨氣進行保護，其流量為2000～3000sccm，在高溫1000～1050℃、反應腔壓強100～200torr下加熱烘烤0.5～1min，清潔襯底表面；

（5）降低溫度至900～950℃，反應腔壓強100～200torr，繼續通入氨氣，其流量為2000～3000sccm，同時通入三甲基鎵和硅烷，外延生長n型氮面氮化鎵薄膜，三甲基鎵流量為20～30sccm，硅烷流量為1～1.5sccm。

2.根據權利要求1所述的一種基于氮化鎵核探測器結構的雙面氮化鎵薄膜的外延生長方法，其特征在于所述襯底材料為半絕緣氮化鎵襯底。

3.根據權利要求1所述的一種基于氮化鎵核探測器結構的雙面氮化鎵薄膜的外延生長方法，其特征在于步驟（2）所述的n型鎵面氮化鎵薄膜厚度為100～150nm。

4.根據權利要求1所述的一種基于氮化鎵核探測器結構的雙面氮化鎵薄膜的外延生長方法，其特征在于步驟（5）所述的n型氮面氮化鎵薄膜厚度為100～150nm。