[發明專利]一種小型LED芯片及其制造方法

在審

• 申請號: 201610221411.2
• 申請日: 2016-04-11
• 公開（公告）號: CN105702823A
• 公開（公告）日: 2016-06-22
• 發明（設計）人: 李慶;張廣庚;吳紅斌;陳立人
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種小型LED芯片，所述LED芯片包括襯底、位于襯底上的N型半導體層、發光層、及P型半導體層，其特征在于，所述LED芯片上形成有貫穿P型半導體層、發光層及部分N型半導體層的通孔，所述P型半導體層上形成有未覆蓋通孔區域的透明導電層，所述LED芯片上在通孔側壁、以及通孔旁側部分透明導電層上形成有電流阻擋層，所述電流阻擋層上及通孔內形成有與N型半導體層電性連接的N電極，透明導電層上形成有與P型半導體層電性連接的P電極，所述襯底為圖案化襯底，所述N電極為反射電極。

2.根據權利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述透明導電層覆蓋于部分P型半導體層上，透明導電層的面積小于P型半導體層的面積。

3.根據權利要求2所述的小型LED芯片，其特征在于，所述電流阻擋層還覆蓋于未被透明導電層覆蓋的P型半導體層上。

4.根據權利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述N電極的俯視投影位于電流阻擋層內。

5.根據權利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述LED芯片設有保護層，所述保護層位于透明導電層、電流阻擋層上方且至少露出部分N電極及部分P電極。

6.根據權利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述通孔的截面形狀為圓形、橢圓形、方形、或不規則形狀。

7.根據權利要求1所述的小型LED芯片，其特征在于，所述襯底為藍寶石圖案化襯底、Si圖案化襯底、或SiC圖案化襯底。

8.一種小型LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底，所述襯底為圖案化襯底；

在襯底上外延生長N型半導體層、發光層、及P型半導體層；

通過MESA光刻，形成貫穿P型半導體層、發光層及部分N型半導體層的通孔；

在P型半導體層上形成有未覆蓋通孔區域的透明導電層；

在通孔側壁、以及通孔旁側部分透明導電層上形成電流阻擋層；

在電流阻擋層上及通孔內形成與N型半導體層電性連接的N電極，在透明導電層上形成與P型半導體層電性連接的P電極。

9.根據權利要求8所述的小型LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法還包括：

在透明導電層、電流阻擋層上方形成保護層，并光刻至少露出部分N電極及部分P電極。

10.根據權利要求8所述的小型LED芯片的制造方法，其特征在于，所述制造方法中：

透明導電層通過涂抹正性光刻膠并光刻形成；

電流阻擋層通過涂抹負性光刻膠并光刻形成。