[發明專利]印刷線路、薄膜晶體管及其制造方法有效
| 申請號： | 201610220055.2 | 申請日： | 2016-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN107293591B | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發明（設計）人： | 何羽軒 | 申請（專利權）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/06;H01L23/485;H01L21/60;B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中國臺灣臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 印刷 線路 薄膜晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種印刷線路，配置于基板上，其特征在于，所述印刷線路包括：
多個金屬納米結構；以及
金屬氧化物層，配置于所述金屬納米結構的表面上且填滿所述金屬納米結構的交會處的間隙，
其中配置于所述金屬納米結構的表面上的所述金屬氧化物層的厚度介于0.1納米至10納米，所述金屬氧化物層的材料包括二氧化鈦、氧化鋅或氧化鎢。
2.根據權利要求1所述的印刷線路，其特征在于，所述金屬納米結構包括金屬納米線、金屬納米粒子或其組合。
3.根據權利要求1所述的印刷線路，其特征在于，所述金屬納米結構的材料包括金、銀或銅。
4.一種印刷線路的制造方法，其特征在于，包括：
進行第一印刷制程，以于基板上形成金屬層，其中所述金屬層包括多個金屬納米結構；
進行第二印刷制程，以于所述金屬層上形成金屬氧化物前驅物層，且所述金屬氧化物前驅物層覆蓋所述金屬層，其中所述金屬氧化物前驅物層包括金屬氧化物前驅物及溶劑；以及
進行加熱制程，以去除所述金屬氧化物前驅物層中的溶劑以及使所述金屬氧化物前驅物層中的金屬氧化物前驅物還原成金屬氧化物，以于所述金屬納米結構的表面上形成金屬氧化物層，且所述金屬氧化物層填滿所述金屬納米結構的交會處的間隙，
其中形成于所述金屬納米結構的表面上的所述金屬氧化物層的厚度介于0.1納米至10納米，所述金屬氧化物前驅物的材料包括二氧化鈦前驅物、氧化鋅前驅物或氧化鎢前驅物。
5.根據權利要求4所述的印刷線路的制造方法，其特征在于，所述金屬納米結構包括金屬納米線、金屬納米粒子或其組合。
6.根據權利要求4所述的印刷線路的制造方法，其特征在于，所述金屬納米結構的材料包括金、銀或銅。
7.根據權利要求4所述的印刷線路的制造方法，其特征在于，所述溶劑包括水。
8.根據權利要求4所述的印刷線路的制造方法，其特征在于，進行所述加熱制程的溫度介于50℃至200℃。
9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：
源極與漏極，配置于基板上；
主動層，覆蓋所述源極與所述漏極且填入所述源極與所述漏極之間的間隙；
介電層，覆蓋所述主動層；以及
柵極，配置于所述介電層上，
其中所述源極與所述漏極包括多個金屬納米結構以及金屬氧化物層，所述金屬氧化物層配置于所述金屬納米結構的表面上且填滿所述金屬納米結構的交會處的間隙，以及配置于所述金屬納米結構的表面上的所述金屬氧化物層的厚度為0.1納米至10納米，所述金屬氧化物層的材料包括二氧化鈦、氧化鋅或氧化鎢。
10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬納米結構包括金屬納米線、金屬納米粒子或其組合。
11.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述金屬納米結構的材料包括金、銀或銅。
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