[發明專利]Pd?雜環芳烴類席夫堿電化學聚合?自組裝?摻雜薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201610219971.4
• 申請日: 2016-04-11
• 公開（公告）號: CN105749979B
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發明（設計）人: 李鐵生;劉輝;薛小俠;吳養潔;許文儉
• 申請（專利權）人: 鄭州大學
• 主分類號: B01J31/22
• 分類號: B01J31/22;C07C15/14;C07C1/32
• 代理公司: 鄭州中原專利事務所有限公司41109
• 代理人: 李想,喬玉萍

1.Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜，其特征在于：所述Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜是如下式的化合物；其中0＜n≤10，n為整數；

其中，R¹＝S，N，O；R²＝S時，R³＝CHO，COCH₃，H，CH₂Br，CH₃，CH₂CH₃，(CH₂)₅CH₃，(CH₂)₇CH₃，OCH₃，Br；R²＝N時，R³＝CHO，NH₂，H，CH₃，Br；R²＝O時，R³＝CHO，H，CH₂Br，CH₃，OCH₃，Br；用于電化學摻雜的雜環芳烴還可以是

2.Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜的制備方法，其特征在于：

a.基片的親水處理；

b.親水基片的硅烷化；

c.制備雜環芳烴類席夫堿修飾的基片；

d.雜環芳烴類席夫堿電化學摻雜聚合；

e.制備Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜。

3.如權利要求2所述的Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下具體步驟：

a.基片的親水處理：ITO導電玻璃分別在丙酮、乙醇和去離子水中超聲處理15-30分鐘，接著，在堿性清洗液中40-60℃下加熱0.5-2小時，使基片表面生成硅烷醇基，用二次去離子水沖洗，干燥；

b.親水基片的硅烷化：將親水處理的基片、3-氨基丙基三乙氧基硅烷和溶劑分別加入到圓底燒瓶內，油浴加熱至65-90℃，恒溫反應18-30小時，反應結束后冷卻至室溫，取出硅烷化后的基片，依次用甲苯、丙酮、乙醇和水沖洗數次或者乙酸乙酯、石油醚、乙醇和水沖洗數次，如未完全清潔，需超聲處理以致表面清潔，干燥；

c.制備雜環芳烴類席夫堿修飾的基片：溶劑、雜環芳烴和硅烷化基片分別加入到圓底燒瓶中，油浴加熱至65-90℃，氮氣保護下回流8-16小時，反應結束取出基片，依次用甲苯、丙酮、乙醇和水沖洗數次或乙酸乙酯、石油醚、乙醇和水沖洗數次，如未完全清潔，需超聲處理致表面清潔，干燥；

d.雜環芳烴類席夫堿電化學摻雜聚合：循環伏安測試使用電化學工作站與常規的三電極體系，以雜環芳烴席類夫堿功能化的ITO作為工作電極，鉑絲和飽和甘汞電極分別為對電極和參比電極，在0.1M的四丁基六氟磷酸銨電解液中加入一定濃度的雜環芳烴作為摻雜材料，-0.6～1.0V之間進行重復循環伏安掃描，記錄伏安曲線；

e.制備Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜：將上述電化學摻雜聚合的噻吩席夫堿修飾的基片置于含有Li₂PdCl₄的甲醇溶液中，靜置反應18-30小時，將基片取出分別用甲苯、丙酮、乙醇和水沖洗數次或乙酸乙酯、石油醚、乙醇和水沖洗數次，除去物理吸附的鈀，干燥。

4.如權利要求3所述的Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟a中的堿性清洗液為質量分數為30％NH₃·H₂O、質量分數為33％H₂O₂和H₂O的混合溶液，體積比為1:1:1。

5.如權利要求3所述的Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟b或c中的溶劑為無水甲苯或無水乙醇。

6.如權利要求2或3所述的Pd-雜環芳烴類席夫堿電化學聚合-自組裝-摻雜薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟c中用于制備雜環芳烴類席夫堿的雜環芳烴為：其中R¹＝S，N，O。