[發(fā)明專利]以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610219503.7
• 申請(qǐng)日: 2016-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN105895817B
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 史志鋒;李新建;孫旭光;吳翟;許婷婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鄭州大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 鄭州優(yōu)盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司41125
• 代理人: 董曉慧

1.一種以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED，包括透明導(dǎo)電的襯底（1），其特征在于：襯底（1）上依次設(shè)有n型的ZnO電子提供層（2）、CH₃NH₃PbBr₃發(fā)光層（3）、p型的Ni(Mg)O空穴提供層（4）以及接觸電極（5）；

所述以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED的制備方法是按照下述步驟進(jìn)行的：

（1）清洗透明導(dǎo)電的襯底（1）；

（2）采用射頻磁控濺射方法在襯底（1）上沉積n型的ZnO電子提供層（2）；射頻磁控濺射采用的是ZnO陶瓷靶材；

（3）采用低溫溶液法在n型的ZnO電子提供層（2）上制備CH₃NH₃PbBr₃發(fā)光層（3）；

（4）采用射頻磁控濺射方法在CH₃NH₃PbBr₃發(fā)光層（3）上沉積p型的Ni(Mg)O空穴提供層（4）；所述射頻磁控濺射方法中采用Ni_0.8Mg_0.2O:Li₂O單靶材濺射的方式，或者采用NiO:Li₂O和MgO雙靶材共濺射的方式，襯底溫度為120℃，其中，Li₂O和NiO的質(zhì)量分?jǐn)?shù)比為1.04%:98.96%；

（5）采用熱蒸發(fā)法在p型的Ni(Mg)O空穴提供層（4）上制備圓形的接觸電極（5）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED，其特征在于：所述襯底（1）為ITO導(dǎo)電玻璃襯底或鍍有ITO薄層的柔性襯底，ITO薄層的厚度為120~150納米，電阻率為10^-3~10^-4歐姆?厘米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED，其特征在于：n型的ZnO電子提供層（2）的厚度為350~500納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED，其特征在于：CH₃NH₃PbBr₃發(fā)光層（3）的厚度為100~150納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED，其特征在于：p型的Ni(Mg)O空穴提供層（4）的濺射溫度為60~130℃，厚度為100~150納米，電阻率為10^-1~10^-2歐姆?厘米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的以Ni(Mg)O作為空穴提供層的鈣鈦礦綠光LED，其特征在于：步驟（3）中CH₃NH₃PbBr₃發(fā)光層（3）的制備是一步低溫溶液法或兩步低溫溶液法。