[發(fā)明專利]表面貼裝整流器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610218877.7 | 申請日: | 2016-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN107293597A | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 曹士中;曹春明 | 申請(專利權)人: | 蘇州锝耀電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L23/49 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215153 江蘇省蘇州市相*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 整流 器件 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種整流器件,尤其涉及一種表面貼裝整流器件。
背景技術
表面貼裝整流器件是一種具有單向傳導電流的電子器件,現(xiàn)有表面貼裝整流器件主要存以下技術問題:一方面,器件的內(nèi)部材料連接方式主要是通過焊片在高溫下融化將芯片與引線牢固的連接在一起,但銅質(zhì)引線與焊錫很難做到100%的融合,通常芯片與連接片有效焊接面積為85%,而引線這一端只有60%左右,導致在大電流通過時,電流分布不均勻,降低了產(chǎn)品承受浪涌的能力。
“焊接”是整流器件生產(chǎn)的關鍵工藝,特別是二極管類整流器件,設計到芯片與導電引線位置是否工整、焊片是否重復擺放、爐溫溫度設計是否合理等等,焊接產(chǎn)生的不良品占不良品總量達到80%以上,焊接環(huán)節(jié)是否處理得當直接影響產(chǎn)品的最終品質(zhì),本項目即在整流器件產(chǎn)品設計和生產(chǎn)工藝進行一系列的改良。生產(chǎn)出新一代二極管整流器件。
另一方面,除大功率器件外,普通整流器件芯片是正方形,焊片為圓形。在通過高溫焊接隧道爐中,焊片即融化為液體,分別連接芯片和導電引線。由于焊片在高溫后呈現(xiàn)不規(guī)則形狀,融化后與芯片的四個邊距離均小于0.2mm,一旦芯片與焊片位置有輕微的傾斜或者焊接溫度以及焊接速度有輕微的偏差,焊錫降流向芯片的邊緣處,從而接觸到芯片的另一面,流過的焊錫將會變成一條導線,整流器件直接變?yōu)閷Ь€,形成短路而無法使用;另一種情況是即使焊錫沒有接觸到芯片邊緣,客戶在使用過程中產(chǎn)生高溫使焊片融化也會有上述情況,導致客戶損失加大。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種表面貼裝整流器件,該表面貼裝整流器件增加了接觸面積,連接片與引線接觸區(qū)將增加了65%以上,二極管器件與PCB焊接強度提高,從而提高了拉伸強度并改善了電性能。
為達到上述目的,本發(fā)明采用的技術方案是:一種表面貼裝整流器件,包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的第一引線條、第二引線條、連接片和二極管芯片,該第一引線條一端是與二極管芯片連接的支撐區(qū),所述二極管芯片一端通過焊錫膏與該支撐區(qū)電連接,第一引線條另一端是引腳區(qū),該第一引線條的引腳區(qū)作為所述整流器的電流傳輸端;
所述第二引線條一端是與所述連接片的第一焊接端連接的焊接區(qū),該第二引線條另一端為引腳區(qū),該第二引線條的引腳區(qū)作為所述整流器的電流傳輸端;所述連接片第二焊接端與二極管芯片另一端通過焊錫膏電連接;
所述二極管芯片包括表面具有重摻雜N型區(qū)的重摻雜P型單晶硅片,此重摻雜N型區(qū)與重摻雜P型單晶硅片接觸,重摻雜N型區(qū)四周具有溝槽,此溝槽位于重摻雜P型單晶硅片和重摻雜N型區(qū)四周并延伸至重摻雜P型單晶硅片的中部;所述溝槽的表面覆蓋有絕緣鈍化保護層,此絕緣鈍化保護層由溝槽底部延伸至重摻雜N型區(qū)表面的邊緣區(qū)域,重摻雜P型區(qū)表面覆蓋作為另一個電極的第二金屬層;
靠近所述絕緣鈍化保護層內(nèi)側的重摻雜N型區(qū)區(qū)域開有一U形凹槽,此重摻雜N型區(qū)下表面且位于U形凹槽正下方具有一向下的凸起部,裸露出的所述重摻雜N型區(qū)和U形凹槽的表面覆蓋作為電極的第一金屬層;
所述連接片的第二焊接端為由若干個波峰面和波谷面交替排列組成的波浪形表面,該波浪形表面通過所述焊錫膏與二極管芯片電連接,所述連接片的波浪形表面末端位于U形凹槽正上方。
上述技術方案中進一步改進的方案如下:
1. 上述方案中,所述第一引線條的支撐區(qū)與引腳區(qū)之間區(qū)域設有一第一折彎處,從而使得第一引線條的支撐區(qū)低于引腳區(qū);
所述第二引線條的焊接區(qū)與引腳區(qū)之間區(qū)域設有一第二折彎處,從而使得第二引線條的焊接區(qū)低于引腳區(qū);
所述連接片的第一焊接端和第二焊接端之間設有第三折彎處,從而使得第一焊接端低于第二焊接端。
2. 上述方案中,所述第二引線條的焊接區(qū)兩側設有擋塊。
3. 上述方案中,所述第二引線條的焊接區(qū)的面積大于所述第一焊接端的面積。
由于上述技術方案運用,本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點和效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





