[發(fā)明專利]一種低折射率氧化硅減反膜的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610217496.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-04-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN105776886A | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-07-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪瑞江;袁野 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中山大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C03C17/23 | 分類號(hào)： | C03C17/23;G02B1/113 |
| 代理公司： | 廣州新諾專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100 | 代理人： | 曹愛(ài)紅 |
| 地址： | 510275 *** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 折射率 氧化 硅減反膜 制備 方法 | ||
1.一種低折射率氧化硅減反膜的制備方法，其特征在于：具體制作步驟是，
(1)配置初始?jí)A性SiO2溶膠鍍膜液：將正硅酸乙酯(TEOS)和無(wú)水乙醇(EtOH)混合 攪拌，待溶液攪拌均勻后，緩慢滴加無(wú)水乙醇、去離子水、氨水的混合溶液，攪拌混合均勻 后靜置陳化；
(2)添加乳化劑辛苯昔醇(曲拉通X-100)：溶液經(jīng)過(guò)陳化穩(wěn)定后，在其中加入一定含 量的乳化劑辛苯昔醇(曲拉通X-100)，密封攪拌，使乳化劑辛苯昔醇(曲拉通X-100)在溶 液中均勻分散之后再次靜置陳化；
(3)在襯底表面制備薄膜：在潔凈的玻璃片表面進(jìn)行鍍膜，形成均勻的氧化硅減反薄 膜；
(4)薄膜熱處理:通過(guò)高溫過(guò)程去掉薄膜表面的乳化劑辛苯昔醇(曲拉通X-100)，形 成低折射率的薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射率氧化硅減反膜的制備方法，其特征在于：上述步驟 (1)中，所述混合溶液中正硅酸乙酯(TEOS)、去離子水(H2O)和無(wú)水乙醇(EtOH)的摩 爾比是1：2：38，混合后攪拌時(shí)間是1.5～2.5小時(shí)，所述混合溶液的PH值調(diào)節(jié)為8～10之 間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射率氧化硅減反膜的制備方法，其特征在于：上述步驟 (1)中初始SiO2溶膠鍍膜液的陳化時(shí)間是1～3天。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射率氧化硅減反膜的制備方法，其特征在于：上述步驟 (2)中乳化劑辛苯昔醇(曲拉通X-100)在溶液中含量范圍值是0～60g/l。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射率氧化硅減反膜的制備方法，其特征在于：上述步驟 (3)中在襯底表面制備薄膜的方法為提拉鍍膜法、或旋涂鍍膜法、或彎液面法、或噴涂法、 或輥涂法。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射率氧化硅減反膜的制備方法，其特征在于：上述步驟 (4)中薄膜熱處理的溫度范圍是300～600攝氏度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低折射率氧化硅減反膜的制備方法，其特征在于：上述步驟 (4)中薄膜熱處理時(shí)間是10～30分鐘。
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