[發明專利]保護裝置及操作系統有效
| 申請號: | 201610217235.5 | 申請日: | 2016-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN107275325B | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發明(設計)人: | 黃紹璋 | 申請(專利權)人: | 世界先進積體電路股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 郭曉宇 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保護裝置 操作系統 | ||
1.一種保護裝置,其特征在于,包括:
一基底,具有一第一導電型;
一第一摻雜區,設置在該基底中,并具有一第二導電型;
一第一井區,設置在該第一摻雜區中,并具有該第一導電型;
一第二摻雜區,設置在該第一摻雜區中,并未接觸該第一井區,并且具有該第二導電型;
一第三摻雜區,設置在該第一井區中,并具有該第一導電型;
一第四摻雜區,設置在該第一井區中,并具有該第二導電型;
一第二井區,設置在該基底中,并具有該第二導電型;
一第五摻雜區,設置在該第二井區中,并具有該第一導電型;以及
一第六摻雜區,設置在該第二井區中,并具有該第二導電型;
其中,該第五摻雜區及該第六摻雜區直接接觸該第二井區。
2.如權利要求1所述的保護裝置,其特征在于,該第一導電型為N型,該第二導電型為P型。
3.如權利要求1所述的保護裝置,其特征在于,該第一導電型為P型,該第二導電型為N型。
4.如權利要求1所述的保護裝置,其特征在于,該第一摻雜區為一深井區。
5.如權利要求1所述的保護裝置,其特征在于,該第一摻雜區包括:
一埋層,具有該第二導電型;以及
一第三井區,設置在該埋層之上,具有該第二導電型,并圍繞該第一井區。
6.如權利要求1所述的保護裝置,其特征在于,更包括:
一第一導線,電連接該第四及第五摻雜區。
7.如權利要求1所述的保護裝置,其特征在于,更包括:
一第七摻雜區,設置在該基底中,并具有該第二導電型;
一第三井區,設置在該第七摻雜區中,并具有該第一導電型;
一第八摻雜區,設置在該第七摻雜區中,未接觸該第三井區中,并具有該第二導電型;
一第九摻雜區,設置在該第三井區中,并具有該第一導電型;以及
一第十摻雜區,設置在該第三井區中,并具有該第二導電型。
8.如權利要求7所述的保護裝置,其特征在于,更包括:
一第一導線,電連接該第四及第五摻雜區;以及
一第二導線,電連接該第六及第九摻雜區。
9.如權利要求7所述的保護裝置,其特征在于,更包括:
一第一導線,電連接該第四摻雜區及第九摻雜區;以及
一第二導線,電連接該第五摻雜區及第十摻雜區。
10.如權利要求7所述的保護裝置,其特征在于,該第一摻雜區為一第一深井區,該第七摻雜區為一第二深井區。
11.如權利要求7所述的保護裝置,其特征在于,該第一摻雜區更包括一第一埋層以及一第四井區,該第七摻雜區更包括一第二埋層以及一第五井區,該第一及第二埋層以及該第四及第五井區均具有該第二導電型,該第四井區設置在該第一埋層之上,并圍繞該第一井區,該第五井區設置在該第二埋層之上,并圍繞該第三井區。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于世界先進積體電路股份有限公司,未經世界先進積體電路股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610217235.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:靜電放電保護裝置及方法
- 下一篇:半導體裝置和液體排出頭基板
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





