[發(fā)明專利]一種基于硅納米結(jié)構(gòu)的光電轉(zhuǎn)換器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610216995.4
• 申請(qǐng)日: 2016-04-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105655425A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳立新
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 陳立新
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/0747;H01L31/0236
• 代理公司: 深圳市精英專利事務(wù)所 44242
• 代理人: 馮筠

1.一種基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，包括背電極(6)和P型硅襯底 (5)，其特征在于：P型硅襯底(5)的上表面采用硅納米線陣列結(jié)構(gòu)，該 硅納米線陣列結(jié)構(gòu)表面上依次層疊有i型非晶硅層(4)、N型非晶硅 層(3)和氧化銦錫透明導(dǎo)電膜(2)，納米線陣列結(jié)構(gòu)的頂端設(shè)有正電極 (1)，其中i型非晶硅(4)包括多次交替疊加的兩種子層：第一高氫氣/ 硅烷比的i型非晶硅子層以及第二低氫氣/硅烷比的i型非晶硅子層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于： N型非晶硅層(3)和i型非晶硅層(4)的厚度均為10-50nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于： P型硅襯底(5)表面的硅納米線陣列中，每根硅納米線的直徑為 40-80nm，長(zhǎng)度為5-10μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于： P型硅襯底(5)厚度為200-400μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于： 正電極(1)采用厚度為20nm/20nm/40nm的Ti/Pd/Ag多層金屬材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于： 背電極(6)采用厚度為70-100nm的金屬鋁材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于： 所述第一高氫氣/硅烷比的i型非晶硅子層沉積時(shí)的氫氣/硅烷比為 30-50，所述第一高氫氣/硅烷比的i型非晶硅子層厚度為3-6nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于硅納米線的光電轉(zhuǎn)換器件，其特征在于： 所述第二低氫氣/硅烷比的i型非晶硅子層沉積時(shí)的氫氣/硅烷比為 5-15，所述第二低氫氣/硅烷比的i型非晶硅子層厚度為2-4nm。