[發明專利]減小型分裂柵非易失性閃存單元及其制造方法

有效

• 申請號: 201610216805.9
• 申請日: 2016-04-08
• 公開（公告）號: CN107293546B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: C.王
• 申請（專利權）人: 硅存儲技術公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;王傳道

1.一種形成非易失性存儲器單元陣列的方法，所述方法包括：

在半導體襯底上形成第一絕緣材料層；

在所述第一絕緣材料層中形成多個第一溝槽，所述多個第一溝槽沿第一方向延伸；

用不同于所述第一絕緣材料的第二絕緣材料填充所述多個第一溝槽；

在所述第一絕緣材料層中形成多個第二溝槽，所述多個第二溝槽沿正交于所述第一方向的第二方向延伸；

將所述多個第二溝槽延伸到所述半導體襯底中；

用第三絕緣材料填充所述多個第二溝槽，其中所述第三絕緣材料將平行的隔離區限定于所述半導體襯底中，有源區位于每對相鄰的所述隔離區之間，并且其中所述隔離區不在所述半導體襯底中于所述多個第一溝槽中形成的所述第二絕緣材料之下形成；

移除所述第二絕緣材料；

通過進行對所述第一溝槽的注入在所述半導體襯底中形成多個平行、連續的源極線擴散區，其中每個源極線擴散區沿所述第一方向延伸并且跨過所述第一溝槽下方的每個所述有源區；

在每個所述有源區中形成多個存儲器單元對，其中每個所述存儲器單元對包括：

所述半導體襯底中的源極區，所述源極區是所述連續的源極線擴散區中的一個的一部分，

所述半導體襯底中的第一漏極區和第二漏極區，其中第一溝道區在所述第一漏極區和所述源極區之間延伸，并且第二溝道區在所述第二漏極區和所述源極區之間延伸，

第一浮動柵極，所述第一浮動柵極設置在所述第一溝道區的第一部分上面并且與所述第一溝道區的第一部分絕緣，

第二浮動柵極，所述第二浮動柵極設置在所述第二溝道區的第一部分上面并且與所述第二溝道區的第一部分絕緣，

第一選擇柵極，所述第一選擇柵極設置在所述第一溝道區的第二部分上面并且與所述第一溝道區的第二部分絕緣，

第二選擇柵極，所述第二選擇柵極設置在所述第二溝道區的第二部分上面并且與所述第二溝道區的第二部分絕緣，

第一控制柵極，所述第一控制柵極設置在所述第一浮動柵極上面并且與第一浮動柵極絕緣，

第二控制柵極，所述第二控制柵極設置在所述第二浮動柵極上面并且與第二浮動柵極絕緣，以及

擦除柵極，所述擦除柵極設置在所述源極區上面并且與所述源極區絕緣。

2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：

形成第四絕緣材料層，所述第四絕緣材料層直接位于所述半導體襯底的表面上，其中所述第一絕緣材料層直接形成于所述第四絕緣材料層上。

3.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述第一絕緣材料是氮化物；

所述第二絕緣材料是氧化物；并且

所述第三絕緣材料是氧化物。