[發(fā)明專(zhuān)利]具有形成在有紋理的表面上的接觸部的半導(dǎo)體發(fā)光器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610215280.7
• 申請(qǐng)日: 2010-05-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105720177A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J.E.埃普勒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 飛利浦拉米爾德斯照明設(shè)備有限責(zé)任公司;皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/54
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/54;H01L33/62
• 代理公司: 中國(guó)專(zhuān)利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 初媛媛;景軍平

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

布置在n型區(qū)域與p型區(qū)域之間的發(fā)光層；

n接觸區(qū)域和p接觸區(qū)域，其中所述n接觸區(qū)域的橫截面包括其中移除了部分所述發(fā)光層和所述p型區(qū)域以暴露所述n型區(qū)域的多個(gè)第一區(qū)域，其中所述多個(gè)第一區(qū)域由其中所述發(fā)光層和所述p型區(qū)域仍存在于所述器件中的多個(gè)第二區(qū)域分隔，并且其中所述多個(gè)第二區(qū)域包括半導(dǎo)體材料的柱；以及

布置在所述n接觸區(qū)域與所述p接觸區(qū)域之間的溝槽；

在所述p接觸區(qū)域中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成的第一金屬接觸部；以及

在所述n接觸區(qū)域中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成的第二金屬接觸部；

其中，所述第二金屬接觸部與所述n接觸區(qū)域中的第二區(qū)域中的至少一個(gè)電接觸，并且

其中，在所述第一金屬接觸部上形成多個(gè)接觸部凸起，并且所述第二金屬接觸部包括多個(gè)接觸部凸起，并且，其中，位于器件的不同部分處的接觸部凸起的特性或布置具有不同屬性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述溝槽將所述第一金屬接觸部與所述第二金屬接觸部電隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述柱相隔1微米和5微米之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二金屬接觸部的橫截面包括由谷分隔的多個(gè)小丘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括布置在所述溝槽的側(cè)壁上的絕緣層。

6.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：

對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行蝕刻，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括布置在n型區(qū)域與p型區(qū)域之間的發(fā)光層，以形成：

n接觸區(qū)域，其中所述n接觸區(qū)域的橫截面包括其中移除了部分所述發(fā)光層和p型區(qū)域以暴露所述n型區(qū)域的多個(gè)第一區(qū)域，其中所述多個(gè)第一區(qū)域由其中所述發(fā)光層和p型區(qū)域仍存在于所述器件中的多個(gè)第二區(qū)域分隔，并且其中所述第二區(qū)域包括半導(dǎo)體材料的柱；以及

布置在所述n接觸區(qū)域與p接觸區(qū)域之間的溝槽；

在所述p接觸區(qū)域上形成第一金屬接觸部；以及

在所述n接觸區(qū)域上形成第二金屬接觸部；

其中所述第二金屬接觸部與所述n接觸區(qū)域的至少一個(gè)第二區(qū)域電接觸，并且

其中所述方法還包括在所述第一金屬接觸部上形成多個(gè)接觸部凸起，并且在所述第二金屬接觸部中形成多個(gè)接觸部凸起，并且，其中，位于器件的不同部分處的接觸部凸起的特性或布置具有不同屬性。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中接觸部凸起是金屬凸起。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括：將所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)接合至底座，其中接合包括使所述多個(gè)金屬凸起塌陷，從而使塌陷的凸起將半導(dǎo)體器件電連接且機(jī)械連接至所述底座，并且其中所述金屬凸起在接合期間仍處于固相。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中所述多個(gè)金屬凸起包括具有小于150GPa的楊氏模量的金屬。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中：

所述多個(gè)金屬凸起中的每一個(gè)具有1微米和5微米之間的寬度以及1微米和5微米之間的高度；以及

最近相鄰?fù)蛊鹣嗑?微米和8微米之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，還包括：

利用絕緣層來(lái)涂覆所述器件；以及

從所述n接觸區(qū)域和所述p接觸區(qū)域移除所述絕緣層，使得所述絕緣層仍存在于所述溝槽的側(cè)壁上。