[發(fā)明專利]一種鋰電池固體電解質(zhì)膜及其制備方法和應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610214376.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107275673B | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳嬌楊;凌仕剛;李泓;陳立泉;許曉雄;黃禎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院物理研究所;中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號(hào): | H01M10/0562 | 分類號(hào): | H01M10/0562;H01M10/052 |
| 代理公司: | 北京億騰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11309 | 代理人: | 陳霽 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鋰電池 固體 電解 質(zhì)膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明涉及一種鋰電池固體電解質(zhì)膜及其制備方法,該方法包括在具有空隙的聚合物膜的貼負(fù)極側(cè)涂覆離子導(dǎo)電顆粒,貼正極側(cè)涂覆離子導(dǎo)電顆粒或非離子導(dǎo)電顆粒,制備得到基礎(chǔ)膜;裝配鋰電池,基礎(chǔ)膜用作鋰電池的隔膜;在鋰電池充放電過程中,負(fù)極側(cè)的液體電解質(zhì)在基礎(chǔ)膜的空隙中轉(zhuǎn)化為固體電解質(zhì),生成固體電解質(zhì)膜。該制備方法是一種原位生成固體電解質(zhì)膜的方法,該方法步驟簡(jiǎn)單,可以兼容現(xiàn)有的電池制造工藝,進(jìn)一步降低了固體金屬鋰電池的生產(chǎn)成本;該方法制備的固體電解質(zhì)膜可以有效的抑制了鋰枝晶的生長(zhǎng)以及抑制鋰枝晶對(duì)隔膜的刺穿,減少了金屬鋰與電解液之間進(jìn)一步的化學(xué)反應(yīng),可有效的保護(hù)金屬鋰電極。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電化學(xué)和新能源材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鋰電池固體電解質(zhì)膜及其制備方法和應(yīng)用。
背景技術(shù)
目前,鋰離子電池是商用電池中能量密度最高的電池,被廣泛應(yīng)用與各種小型電子產(chǎn)品以及電動(dòng)汽車等。近年來,快速發(fā)展的電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能行業(yè)對(duì)鋰離子電池壽命和倍率提出了更高的要求。
但是金屬鋰作為負(fù)極存在著嚴(yán)重的鋰枝晶問題,枝晶的生長(zhǎng)刺穿隔膜導(dǎo)致電池最終的短路。另外,現(xiàn)有技術(shù)中,雖然LiPON固體鋰離子電解質(zhì)薄膜具有良好的離子電導(dǎo)率、優(yōu)良的電化學(xué)穩(wěn)定性,而且減少了金屬鋰與電解液的進(jìn)一步化學(xué)反應(yīng),對(duì)鋰電極的保護(hù)具有明顯的效果,但是LiPON膜是非原位生成的電解質(zhì)膜,導(dǎo)致LiPON膜與正負(fù)極之間存在較大的界面電阻。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明針對(duì)上述問題,提供了一種鋰電池固體電解質(zhì)膜及其制備方法和應(yīng)用。
第一方面,本發(fā)明提供了一種鋰電池固體電解質(zhì)膜及其制備方法。
所述方法包括在具有空隙的聚合物膜的貼負(fù)極側(cè)涂覆離子導(dǎo)電顆粒,貼正極側(cè)涂覆離子導(dǎo)電顆粒或非離子導(dǎo)電顆粒,制備得到基礎(chǔ)膜;
裝配所述鋰電池,所述基礎(chǔ)膜用作所述鋰電池的隔膜;
在所述鋰電池充放電過程中,負(fù)極側(cè)的液體電解質(zhì)在所述基礎(chǔ)膜的空隙中轉(zhuǎn)化為固體電解質(zhì),生成所述固體電解質(zhì)膜。
優(yōu)選地,所述鋰電池充放電為所述鋰電池25-150℃恒電流充放電。
第二方面本發(fā)明提供了一種根據(jù)上述方法制備的固體電解質(zhì)膜,所述固體電解質(zhì)膜由基礎(chǔ)膜和填充到所述基礎(chǔ)膜的空隙中的固體電解質(zhì)構(gòu)成;其中,所述固體電解質(zhì)由液體電解質(zhì)轉(zhuǎn)化形成。
優(yōu)選地,所述基礎(chǔ)膜由聚合物膜、離子導(dǎo)電顆粒和非離子導(dǎo)電顆粒構(gòu)成;其中,所述聚合物膜貼負(fù)極側(cè)涂覆所述離子導(dǎo)電顆粒,貼正極側(cè)涂覆所述離子導(dǎo)電顆粒或所述非離子導(dǎo)電顆粒;所述基礎(chǔ)膜厚度為1-50μm,孔隙率為4-70%。
優(yōu)選地,所述聚合物膜為聚丙烯、聚乙烯、聚偏氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚碳酸酯、聚芳綸、纖維素中的任意一種;所述聚合物膜的厚度為0.6-30μm,孔隙率為5%-80%。
優(yōu)選地,所述離子導(dǎo)電顆粒為L(zhǎng)i1+xAlxGe2-x(PO4)3、Li3yLa2/3-yTiO3、LiZr2-zTiz(PO4)3、Li1+mAlmTi2-m(PO4)3、Li4-nGe1-nPnS4中的一種或多種;其中,0≤x≤2、0≤y≤2/3、0≤z≤2、0≤m≤2、0≤n≤1;所述離子導(dǎo)電顆粒的平均粒徑為10-1000nm;所述基礎(chǔ)膜的所述離子導(dǎo)電顆粒涂層厚度為0.2-10μm。
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