[發明專利]一種近紅外探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 201610214093.7
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN107275484A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 潘革波;吳浩迪
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,侯藝

1.一種近紅外探測器，其特征在于，從下至上依次包括：基底、底電極層、紅外感光層、頂電極層；

所述底電極層與所述紅外感光層之間還設有電子阻擋層；

所述紅外感光層包括上下設置的第一雜化層和第二雜化層；所述第一雜化層包括紅外感光量子點和n型半導體材料、所述第二雜化層包括紅外感光量子點和p型半導體材料。

2.根據權利要求1所述近紅外探測器，其特征在于，所述n型半導體材料與所述p型半導體材料分別與紅外感光量子點的質量比為1:9～2:5。

3.根據權利要求1所述近紅外探測器，其特征在于，所述電子阻擋層為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸),聚3-己基噻吩，聚(3,4-亞乙二氧基噻吩)、聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撐乙烯撐)中的任一種。

4.根據權利要求1所述近紅外探測器，其特征在于，所述紅外感光量子點為硫化鉛、硫化硒、硫化鎘中的任一種。

5.根據權利要求1所述近紅外探測器，其特征在于，所述n型聚合物半導體為聚(5-(2-乙基己氧基)-2-甲氧基-氰基對苯二亞甲基)、[6,6]-苯基C₆₁丁酸甲酯，1',1”,4',4”-四氫二[1,4]甲橋萘并[1,2:2',3'；56,60:2”,3”][5,6]富勒烯-C60-IH中一種。

6.根據權利要求1所述近紅外探測器，其特征在于，所述p型聚合物半導體為聚(2—甲氧基,5(2'—乙基己氧基)—1,4—苯撐乙烯撐)、聚[2-甲氧基,5-(3′,7′二甲基-辛氧基)]-對苯撐乙撐、聚3-己基噻吩中一種。

7.根據權利要求1所述近紅外探測器，其特征在于，所述第一雜化層和/或第二雜化層的厚度范圍在50～500nm。

8.根據權利要求1所述近紅外探測器，其特征在于，所述紅外感光量子點的直徑范圍在1nm～100nm。

9.一種如權利要求1～8任一項所述近紅外探測器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在覆蓋有底電極層的基底上形成電子阻擋層材料；

在所述電子阻擋層上制備紅外感光層：先在所述電子阻擋層上涂布紅外感 光量子點和P型半導體材料形成第一雜化層；然后在所述第一雜化層上涂布紅外感光量子點和n型半導體材料形成第二雜化層；

最后在所述第二雜化層上形成頂電極層。

10.根據權利要求9所述近紅外探測器的制備方法，其特征在于，所述電子阻擋層、第一雜化層和第二雜化層的制備步驟中均需要在150～200℃烘干工序。