[發明專利]自啟動的偏置電流源電路

有效

• 申請號: 201610213609.6
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN107276575B
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發明（設計）人: 朱愷
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

一種自啟動的偏置電流源電路，包括啟動電路和偏置電路，偏置電路包括第一偏置點和第二偏置點，啟動電路包括：第一NMOS管，源極接地，柵極與第二偏置點耦接，漏極與控制節點耦接；第一PMOS管，源極耦接電源，漏極與第一NMOS管的漏極耦接；短接電路，第一端耦接第一偏置點，第二端耦接第二偏置點，控制端耦接控制節點；選擇性連通電路，用于控制所述第一PMOS管在上電后導通，以使所述控制節點的信號控制所述短接電路連通第一偏置點和第二偏置點，使得偏置電路的基準電流上升至預設基準電流值，并控制第一PMOS管在偏置電路的基準電流達到預設基準電流值后截止。本發明的方案能夠降低其中的啟動電路的功耗。

技術領域

本發明涉及電路領域，特別是涉及一種自啟動的偏置電流源電路。

背景技術

與電源電壓無關的偏置電流源(Supply Independent Biasing，SIB)由于其結構簡單而被廣泛應用，但是在SIB中一個重要的問題是存在兩個穩定的偏置點，其中一個是0電流偏置點，提供相應的啟動電路來驅動偏置電流源電路的偏置點離開0電流偏置點以達到基準電流值是十分有必要的，在啟動完成后所述偏置電流源電路的基準電流值達到穩定的預設基準電流值。但是，現有技術中存在啟動電路功耗較高的問題。

發明內容

本發明實施例要解決的技術問題是提供一種自啟動的偏置電流源電路，降低其中的啟動電路的功耗。

為了解決上述問題，本發明實施例提供一種自啟動的偏置電流源電路，所述偏置電流源電路包括：

啟動電路和偏置電路，所述偏置電路包括第一偏置點和第二偏置點，其特征在于，所述啟動電路包括：短接電路、選擇性連通電路、第一PMOS管和第一NMOS管；

所述第一NMOS管的源極接地，柵極與所述第二偏置點耦接，漏極與控制節點耦接；

所述第一PMOS管的源極與電源耦接，漏極與所述第一NMOS管的漏極耦接；

所述短接電路的第一端耦接所述第一偏置點，所述短接電路的第二端耦接所述第二偏置點，所述短接電路的控制端耦接所述控制節點；

所述選擇性連通電路用于控制所述第一PMOS管在上電后導通，以使所述控制節點的信號控制所述短接電路連通所述第一偏置點和所述第二偏置點，使得所述偏置電路的基準電流上升至預設基準電流值，并控制所述第一PMOS管在所述偏置電路的基準電流達到預設基準電流值后截止。

可選地，所述選擇性連通電路具有第一端、第二端和控制端，所述選擇性連通電路的第一端耦接所述第一PMOS管的柵極，所述選擇性連通電路的第二端耦接所述控制節點，所述選擇性連通電路的控制端耦接所述第二偏置點；

其中，在上電后，所述第二偏置點的信號控制所述選擇性連通電路導通，以使所述第一PMOS管導通，直至所述控制節點的信號被拉高后所述第一PMOS管截止，同時所述第二偏置點的信號控制所述選擇性連通電路斷開以使所述第一PMOS管保持截止。

可選地，所述自啟動的偏置電流源電路，還包括：

在所述偏置電路的基準電流達到預設基準電流值時，所述第一NMOS管導通，所述控制節點的信號控制所述短接電路斷開所述第一偏置點和所述第二偏置點間的連接。

可選地，所述第一PMOS管的等效開啟阻抗大于所述第一NMOS管的等效開啟阻抗。

可選地，所述選擇性連通電路包括：第二PMOS管；

所述第二PMOS管的柵極作為所述控制端并與所述第二偏置點耦接，所述第二PMOS管的源極作為所述選擇性連通電路的第一端并與所述第一PMOS管的柵極耦接，所述第二PMOS管漏極作為所述選擇性連通電路的第二端并與所述第一PMOS管的漏極耦接，所述第二PMOS管的襯底耦接電源。

可選地，所述短接電路包括：第二NMOS管；