[發(fā)明專利]倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610213542.6
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN105845838B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發(fā)明（設計）人: 林洋;曹進;周潔;謝婧薇;魏翔;俞浩健
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 徐春祺

1.一種倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基板、陰極、電子傳輸層、藍光量子點發(fā)光層、空穴傳輸層以及陽極；

所述空穴傳輸層包括層疊的第一空穴傳輸層和第二空穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層與所述藍光量子點發(fā)光層直接接觸，所述第一空穴傳輸層的厚度為5nm～15nm；

所述第一空穴傳輸層的材料為第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料形成的混合物，所述第二空穴傳輸層的材料為第二空穴傳輸材料和第三空穴傳輸材料形成的混合物；

所述第一空穴傳輸層的HOMO能級為6.04eV～6.8eV，所述第二空穴傳輸層的HOMO能級為4.2eV～6.03V，所述第一空穴傳輸層的HOMO能級大于所述第二空穴傳輸層的HOMO能級；

所述第二空穴傳輸層與所述陽極直接接觸；

所述第一空穴傳輸層的厚度小于所述第二空穴傳輸層的厚度。

2.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍光量子點發(fā)光層的材料選自CdSe@ZnS核殼結構藍光量子點和ZnCdS@ZnS核殼結構藍光量子點中的一種，其中，@表示包覆，CdSe或ZnCdS為所述核殼結構量子點的核，ZnS為所述核殼結構量子點的殼。

3.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍光量子點發(fā)光層的厚度為20nm～30nm。

4.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸材料的HOMO能級、所述第二空穴傳輸材料的HOMO能級及所述第三空穴傳輸材料的HOMO能級依次減小。

5.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸材料選自2-羥基-3-甲基-2-環(huán)戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氫-咔唑-9-基)苯基)-6氫-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一種。

6.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸材料選自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′聯(lián)苯、4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯(lián)苯、8,8-二(4-(9氫-咔唑-9-基)苯基)-8氫-吲哚[3,2,1-de]吖啶(FPCC)和3,5-二(9氫-咔唑-9-基)-氮，氮-聯(lián)苯氨中的一種。

7.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第三空穴傳輸材料選自三氧化鉬、三氧化鎢、氧化釩和鈦菁銅中的一種。

8.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸層中所述第一空穴傳輸材料和所述第二空穴傳輸材料的質(zhì)量比為1:1～2:1，所述第一空穴傳輸材料選自2-羥基-3-甲基-2-環(huán)戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氫-咔唑-9-基)苯基)-6氫-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一種，所述第二空穴傳輸材料選自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′聯(lián)苯、4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯(lián)苯、8,8-二(4-(9氫-咔唑-9-基)苯基)-8氫-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氫-咔唑-9-基)-氮,氮-聯(lián)苯氨中的一種。

9.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸層中所述第二空穴傳輸材料和所述第三空穴傳輸材料的質(zhì)量比為2:3～1:1，所述第二空穴傳輸材料選自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯(lián)苯-4-4′-二胺、2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′聯(lián)苯、4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯(lián)苯、8,8-二(4-(9氫-咔唑-9-基)苯基)-8氫-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氫-咔唑-9-基)-氮,氮-聯(lián)苯氨中的一種，所述第三空穴傳輸材料選自三氧化鉬、三氧化鎢、氧化釩和鈦菁銅中的一種。

10.根據(jù)權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸層的厚度為15nm～30nm。