[發明專利]倒置藍光量子點薄膜電致發光器件

有效

• 申請號: 201610213535.6
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN105895814B
• 公開（公告）日: 2018-03-06
• 發明（設計）人: 曹進;周潔;謝婧薇;魏翔;俞浩健
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;B82Y40/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 徐春祺

1.一種倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的基板、陰極、電子傳輸層、藍光量子點發光層、空穴傳輸層以及陽極；

所述空穴傳輸層包括依次層疊的第一空穴傳輸層、第二空穴傳輸層和第三空穴傳輸層，所述第一空穴傳輸層與所述藍光量子點發光層直接接觸，所述第一空穴傳輸層的厚度為5nm～10nm；

所述第一空穴傳輸層的材料為第一空穴傳輸材料和第二空穴傳輸材料形成的混合物，所述第二空穴傳輸層的材料為第二空穴傳輸材料和第三空穴傳輸材料形成的混合物，所述第三空穴傳輸層的材料為第三空穴傳輸材料和第四空穴傳輸材料形成的混合物；

所述第一空穴傳輸層的HOMO能級為6.04eV～6.8eV，所述第二空穴傳輸層的HOMO能級為5.6eV～6.03eV，所述第三空穴傳輸層的HOMO能級為4.2eV～5.6eV，所述第一空穴傳輸層、所述第二空穴傳輸層及所述第三空穴傳輸層的HOMO能級依次減小；

所述第一空穴傳輸層、所述第二空穴傳輸層和所述第三空穴傳輸層的厚度依次增大；

所述第三空穴傳輸層與所述陽極直接接觸。

2.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述藍光量子點發光層的材料選自CdSe@ZnS核殼結構藍光量子點或ZnCdS@ZnS核殼結構藍光量子點，其中，@表示包覆，CdSe或ZnCdS為所述核殼結構量子點的核，ZnS為所述核殼結構量子點的殼。

3.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述藍光量子點發光層的厚度為15nm～30nm。

4.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸材料、所述第二空穴傳輸材料、所述第三空穴傳輸材料及所述第四空穴傳輸材料的HOMO能級依次減小。

5.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述第一空穴傳輸層中所述第一空穴傳輸材料和所述第二空穴傳輸材料的質量比為3:2～3:1，所述第一空穴傳輸材料選自2-羥基-3-甲基-2-環戊烯-1-酮和6,6-二(4-9氫-咔唑-9-基)苯基)-6氫-吡咯[3,2,1-de]吖啶中的一種，所述第二空穴傳輸材料選自4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯苯、8,8-二(4-(9氫-咔唑-9-基)苯基)-8氫-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氫-咔唑-9-基)-氮,氮-聯苯氨中的一種。

6.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸層中所述第二空穴傳輸材料和所述第三空穴傳輸材料的質量比為3:4～3:2，所述第二空穴傳輸材料選自4,4'-雙(9H-咔唑-9-基)聯苯、8,8-二(4-(9氫-咔唑-9-基)苯基)-8氫-吲哚[3,2,1-de]吖啶和3,5-二(9氫-咔唑-9-基)-氮,氮-聯苯氨中的一種，所述第三空穴傳輸材料選自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯苯-4-4′-二胺和2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′聯苯中的一種。

7.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述第三空穴傳輸層中所述第三空穴傳輸材料和所述第四空穴傳輸材料的質量比為2:3～1:1，所述第三空穴傳輸材料選自N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯苯-4-4′-二胺和2,2′二(3-二甲基苯氨基苯)1,1′聯苯中的一種，所述第四空穴傳輸材料選自三氧化鉬、三氧化鎢、氧化釩和鈦菁銅中的一種。

8.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述第二空穴傳輸層的厚度為10nm～20nm，所述第三空穴傳輸層的厚度為20nm～30nm。

9.根據權利要求1所述的倒置藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述陽極選自鋁、銀、金和鉑中的一種。