[發明專利]藍光量子點薄膜電致發光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201610213374.0
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN105895813B
• 公開（公告）日: 2018-04-13
• 發明（設計）人: 曹進;周潔;謝婧薇;魏翔;俞浩健
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224
• 代理人: 生啟

1.一種藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、藍光量子點發光層、藍光能量傳遞層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極；

所述藍光量子點發光層的材料為藍光量子點，所述藍光量子點發光層的厚度為8nm～15nm；

所述藍光能量傳遞層的材料為藍光有機發光材料，所述藍光能量傳遞層的厚度為0.2nm～2.2nm；

所述藍光量子點為核殼結構的CdSe@ZnS藍光量子點或核殼結構的ZnCdS@ZnS藍光量子點，所述核殼結構的CdSe@ZnS藍光量子點的粒徑為3nm～6nm，所述核殼結構的ZnCdS@ZnS藍光量子點的粒徑為8nm～15nm，其中，“CdSe@ZnS”為ZnS包覆CdSe，“ZnCdS@ZnS”為ZnS包覆ZnCdS。

2.根據權利要求1所述的藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述藍光有機發光材料選自氨基取代的聯苯乙烯基衍生物、四溴苯酚酞乙酯鉀鹽、4,4’-(二(9-乙基-3乙烯咔唑)-1,1’-聯苯和雙(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合銥中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述陽極的材料為ITO、FTO、AZO或IZO，所述陽極的厚度為80nm～200nm。

4.根據權利要求1所述的藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物，所述空穴注入層的厚度為20nm～40nm。

5.根據權利要求1所述的藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料選自聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)和聚((9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))中的至少一種，所述空穴傳輸層的厚度為20nm～40nm。

6.根據權利要求1所述的藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自N-芳基苯并咪唑、二苯基鄰菲咯啉、氧化鋅和二氧化鈦中的至少一種，所述電子傳輸層的厚度為30nm～60nm。

7.根據權利要求1所述的藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料選自氟化鋰、碳酸鋰、碳酸銫、氮化銫、氯化銫和氟化銫中的至少一種，所述電子注入層的厚度為0.5nm～5nm。

8.根據權利要求1所述的藍光量子點薄膜電致發光器件，其特征在于，所述陰極的材料為鋁、銀、鎂、鋇或鈣，所述陰極的厚度為80nm～150nm。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的藍光量子點薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基底并對所述基底進行清洗；

在清洗干凈的所述基底上形成陽極；

在所述陽極上通過溶液旋涂法依次形成空穴注入層、空穴傳輸層和藍光量子點發光層，其中，所述藍光量子點發光層的材料為藍光量子點，所述藍光量子點發光層的厚度為8nm～15nm；以及

在所述藍光量子點發光層上通過真空蒸鍍法依次形成藍光能量傳遞層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其中，所述藍光能量傳遞層的材料為藍光有機發光材料，所述藍光能量傳遞層的厚度為0.2nm～2nm。