[發明專利]環形振蕩電路

在審

• 申請號: 201610213316.8
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN107276566A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 荀本鵬;徐麗;郭萌萌;唐華;朱曉明
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H03K3/03
• 分類號: H03K3/03;H03K3/012
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 潘彥君,吳敏

1.一種環形振蕩電路，其特征在于，包括：電流鏡像電路單元、振蕩電路單元、開關整形電路單元以及反相器，其中：

所述電流鏡像電路單元，與所述振蕩電路單元耦接，適于為所述振蕩電路單元以及所述開關整形電路單元提供鏡像電流；

所述振蕩電路單元，輸入端與所述電流鏡像電路單元耦接，包括N個首尾相連組成環狀的振蕩子單元，且其中至少一個振蕩子單元的負載電容為可調電容模塊，N為奇數且N≥3；

所述開關整形電路單元，與所述振蕩電路單元的輸出端耦接，適于根據所述振蕩電路單元的輸出電壓導通或斷開，以對所述振蕩電路單元的輸出電壓波形進行整形；

所述反相器，與所述開關整形電路單元的輸出端耦接。

2.如權利要求1所述的環形振蕩電路，其特征在于，所述開關整形電路單元包括：第一NMOS管以及第一PMOS管，其中：

所述第一PMOS管，源極與預設電壓源耦接，柵極與所述電流鏡像電路單元的電流輸出端耦接，漏極與所述第一NMOS管的漏極連接；

所述第一NMOS管，源極與地線耦接，柵極與所述振蕩電路單元的輸出端耦接，漏極與所述反相器的輸入端耦接。

3.如權利要求1所述的環形振蕩電路，其特征在于，所述振蕩子單元包括：第二PMOS管、第二NMOS管以及負載電容，其中：

所述第二PMOS管的源極與預設電壓源耦接，柵極與所述電流鏡像電路單元的電流輸出端耦接，漏極與所述第二NMOS管的漏極耦接；

所述第二NMOS管的源極與地線耦接，柵極與前一級振蕩子單元中的第二PMOS管的漏極耦接，漏極與后一級振蕩子單元中的第二NMOS管的柵極耦接；

所述負載電容的第一端與所述第二NMOS管的漏極耦接，第二端與地線耦接。

4.如權利要求3所述的環形振蕩電路，其特征在于，所述可調電容模塊包括：至少兩個相互并聯的電容，且其中至少一個電容與對應的開關串聯。

5.如權利要求1所述的環形振蕩電路，其特征在于，所述電流鏡像電路單元包括：第五PMOS管以及電流源，其中：

所述第五PMOS管，源極與預設電壓源耦接，柵極與漏極耦接且作為所述電流鏡像電路單元的電流輸出端，漏極與所述電流源的輸入端耦接；

所述電流源，輸出端與地線耦接。