[發明專利]具有氣體循環裝置的濕法工藝設備在審
| 申請號: | 201610212925.1 | 申請日: | 2016-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN107275247A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 黃榮龍;呂峻杰;陳瀅如 | 申請(專利權)人: | 盟立自動化股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 氣體 循環 裝置 濕法 工藝設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種濕法工藝設備,特別是涉及一種具有氣體循環裝置的濕法工藝設備。
背景技術
隨著科技的發展,濕式工藝的技術已趨于成熟使得濕法工藝設備在各種制造業已被廣泛使用。然而,在傳統的濕法工藝設備中依然存在諸多問題有待改善,例如:由于部分機構設計不良的關系導致人員維修困難、設備的耗液量大導致生產成本高昂、設備容易發生漏液的問題導致零件受損…等等。再者,在濕式工藝中由于是將基板放置在密閉的工藝腔體中進行多道化學性的工藝,因此工藝腔體內部的工藝環境是影響濕式工藝的關鍵,倘若工藝環境變異將會導致基板產生品質不穩定的問題。
在傳統的濕法工藝設備中一般會在工藝腔體的上方設置抽氣設備,用以將工藝中所產生的氣體抽出腔體外。然而,由于將氣體抽出后工藝腔體的局部位置會呈現負壓狀態,造成工藝壓力受到影響,使得工藝腔體內部難以保持有穩定的工藝環境。
另一方面,為了提高工藝效率通常會采用高溫的條件,將工藝腔體內部保持在一高溫的條件下以提升各種化學反應的速度。然而,由于工藝效率的提升,使得在單位時間內工藝中所產生的氣體量也相對的增多,進而加重抽氣設備的負擔。此外,為了維持工藝腔體的內部壓力平衡,當氣體被抽出工藝腔體外后會再填補相同的氣體量至所述工藝腔體內部。然而,由于填補的氣體通常為一 種低溫或者是常溫的氣體,容易造成工藝腔體內部的溫度下降,使得位于程腔體內部的加熱器必須經常使用及/或保持在高功率的狀態,導致濕法工藝設備的耗電量大以及加熱器的使用壽命減短。
有鑒于此,有必要提供一種濕法工藝設備,以解決現有技術所存在的問題。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明的目的在于提供一種濕法工藝設備,具有氣體循環裝置,并且所述氣體循環裝置與所述工藝腔體連通,用于將所述工藝腔體內抽出的氣體回送至所述工藝腔體內部,因而可有效地將所述工藝腔體內部的溫度與壓力皆維持在穩定的狀態。
為達成上述目的,本發明提供一種具有氣體循環裝置的濕法工藝設備,包含:一工藝腔體,包含分別位在所述工藝腔體的相對兩側壁的一第一排氣孔和一第一進氣孔;以及一氣體循環裝置,包括:一抽氣單元,設置在所述工藝腔體之外;以及一傳輸管路,與所述抽氣單元連接,且與所述第一排氣孔和所述第一進氣孔連通,其中所述抽氣單元將所述工藝腔體內的一氣體通過所述第一排氣孔抽進所述傳輸管路,并且所述氣體通過所述第一進氣孔回送至所述工藝腔體內部。
于本發明其中之一優選實施例中,所述氣體循環裝置的所述傳輸管路包括:一第一管路和一第二管路,其中所述第一管路的兩端分別與所述第一排氣孔和所述抽氣單元連通,以及所述第二管路的兩端分別與所述抽氣單元和所述第一進氣孔連通。
于本發明其中之一優選實施例中,所述濕法工藝設備還包含一用于傳送一基板的傳送單元,設置在所述工藝腔體內部,其中所述第一排氣孔位在所述傳 送單元之上,以及所述第一進氣孔位在所述傳送單元之下。
于本發明其中之一優選實施例中,所述工藝腔體內設置有一液體噴灑單元,用于噴灑一工藝液體,其中所述第一排氣孔位在所述液體噴灑單元之上,以及所述第一進氣孔位在所述液體噴灑單元之下。
于本發明其中之一優選實施例中,所述工藝腔體還包含一第二排氣孔,與一氣體處理單元連通,用于讓所述工藝腔體內的所述氣體排至所述氣體處理單元。
于本發明其中之一優選實施例中,所述第二排氣孔位于所述工藝腔體的一上壁且遠離所述第一排氣孔的位置,所述上壁與所述工藝腔體的所述相對兩側壁連接。
于本發明其中之一優選實施例中,所述濕法工藝設備還包含一氣液分離單元,連接在所述工藝腔體與所述氣體處理單元之間,包括:一進氣管路,用于將所述工藝腔體內的一高濕度氣體輸入所述氣液分離單元內;一反應管路,用于容置一過濾元件,使得通過所述過濾元件的所述高濕度氣體分離為一化學液體和一廢氣;以及一排氣管路延伸穿過所述第二排氣孔,與所述氣體處理單元連通,用于將所述廢氣排入所述氣體處理單元。
于本發明其中之一優選實施例中,所述氣液分離單元的所述進氣管路與所述反應管路設置在所述工藝腔體的內部。
于本發明其中之一優選實施例中,所述濕法工藝設備還包含一用于傳送一基板的傳送單元,設置在所述工藝腔體內部,其中所述氣液分離單元的所述反應管路大致沿著所述基板的行進方向傾斜延伸。
于本發明其中之一優選實施例中,所述氣液分離單元與所述基板相距一橫向距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





