[發明專利]降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法在審
| 申請號： | 201610212618.3 | 申請日： | 2016-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN105742305A | 公開（公告）日： | 2016-07-06 |
| 發明（設計）人： | 王奇偉;陳昊瑜;范曉;田志 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 cmos 圖像傳感器 離子 注入 引入 金屬 污染 方法 | ||
1.一種降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，所述降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，包括：
執行步驟S1：提供具有二氧化硅薄膜的硅基襯底；
執行步驟S2：對所述硅基襯底之二氧化硅薄膜進行去耦合等離子體氮化處理，以在所述二氧化硅薄膜之異于所述硅基襯底的一側形成氮化物處理層；
執行步驟S3：進行像素層光刻和離子注入，以形成功能器件；
執行步驟S4：對完成離子注入工藝之硅基襯底進行熱處理，以激活注入雜質和修復注入損傷；
執行步驟S5：在制備柵氧化層前，去除所述氮化物處理層和所述二氧化硅薄膜，以及離子注入引入的金屬污染。
2.如權利要求1所述的降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，所述硅基襯底之二氧化硅薄膜進行去耦合等離子體氮化處理，進一步包括：在所述硅基襯底之二氧化硅薄膜進行去耦合等離子體氮化處理后，進行溫度為1000℃，時間為20s的熱處理。
3.如權利要求1所述的降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，氮化物處理層為SiOxNy，0≤x＜2，
4.如權利要求3所述的降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，所述氮化物處理層為Si3N4。
5.如權利要求1所述的降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，所述氮化物處理層的厚度為10～15埃。
6.如權利要求1所述的降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，所述硅基襯底之二氧化硅薄膜的厚度為60～80埃。
7.如權利要求1所述的降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，所述氮化物處理層和所述二氧化硅薄膜，以及離子注入引入的金屬污染的去除方法為濕法刻蝕。
8.如權利要求1所述的降低CMOS圖像傳感器之離子注入引入金屬污染的方法，其特征在于，所述功能器件為光電二極管。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
