[發(fā)明專利]一種稀土永磁體及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610212535.4
• 申請日: 2016-04-06
• 公開（公告）號(hào): CN105869876B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劇錦云;陳仁杰;尹文宗;靳朝相;唐旭;李東;閆阿儒
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號(hào): H01F41/02
• 分類號(hào): H01F41/02;H01F1/057
• 代理公司: 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙)11489
• 代理人: 郭曉華

1.一種稀土永磁體的制備方法，其包括以下步驟：

(1)分別提供一母合金磁粉以及一低熔點(diǎn)合金，該低熔點(diǎn)合金為稀土-過渡族金屬合金；

(2)將所述母合金磁粉在真空條件下進(jìn)行熱壓成型，得到熱壓磁體；

(3)將該低熔點(diǎn)合金覆蓋于所述熱壓磁體的端面，并在氬氣氣氛中對該低熔點(diǎn)合金與熱壓磁體同時(shí)施壓進(jìn)行熱變形成型，得到熱變形磁體；

(4)對所述熱變形磁體進(jìn)行兩級熱處理，得到稀土永磁體。

2.如權(quán)利要求1所述的稀土永磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點(diǎn)合金的質(zhì)量為所述母合金磁粉的質(zhì)量的1％～20％。

3.如權(quán)利要求1所述的稀土永磁體的制備方法，其特征在于，所述低熔點(diǎn)合金的化學(xué)式按質(zhì)量百分比為Re_aTM_100-a，其中，50≤a≤95，Re為Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、La、Ce中的一種或幾種，TM為過渡族金屬中的一種或幾種。

4.如權(quán)利要求1所述的稀土永磁體的制備方法，其特征在于，所述母合金磁粉的化學(xué)式按質(zhì)量百分比為Re_xFe_100-x-y-zM_yB_z，其中Re為Nd、Pr、Dy、Tb、Ho、La、Ce中的一種或幾種，M是Al、Co、Cu、Ga中的一種或幾種，20≤x≤40，0≤y≤10，0.7≤z≤1.5。

5.如權(quán)利要求1所述的稀土永磁體的制備方法，其特征在于，在步驟⑴中所述低熔點(diǎn)合金的制備方法具體如下：

按照低熔點(diǎn)合金中元素的比例配料；

將配好的原料混合并進(jìn)行熔煉，再制成低熔點(diǎn)合金。

6.如權(quán)利要求1所述的稀土永磁體的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中將所述母合金磁粉進(jìn)行熱壓成型具體為：將母合金磁粉放入一第一模具中，在真空環(huán)境或保護(hù)氣氛中對母合金磁粉進(jìn)行加熱至第一溫度，并對第一模具施加第一壓力，得到熱壓磁體，其中，所述第一溫度為600℃～750℃，所述第一壓力為100MPa～250MPa。

7.如權(quán)利要求6所述的稀土永磁體 的制備方法，其特征在于，所述真空環(huán)境的真空度優(yōu)于1×10^-1Pa。

8.如權(quán)利要求1所述的稀土永磁體的制備方法，其特征在于，在步驟(3)中所述施壓進(jìn)行熱變形成型具體為：將所述熱壓磁體放入一第二模具中，在熱壓磁體的上、下端面各放置一低熔點(diǎn)合金，在真空環(huán)境或保護(hù)氣氛中對所述熱壓磁體及低熔點(diǎn)合金進(jìn)行加熱至第二溫度，再在該第二溫度下對該低熔點(diǎn)合金以及熱壓磁體同時(shí)施加第二壓力，使所述低熔點(diǎn)合金壓入所述熱壓磁體并且熱壓磁體進(jìn)行變形量為50％～95％的變形，得到熱變形磁體，其中所述第二溫度為700℃～900℃，所述第二壓力為30MPa～150MPa。

9.如權(quán)利要求1所述的稀土永磁體的制備方法，其特征在于，在步驟(4)中所述兩級熱處理包括第Ⅰ級熱處理和第Ⅱ級熱處理，具體為：

第Ⅰ級熱處理，在真空環(huán)境或保護(hù)氣氛中將所述熱變形磁體加熱至第三溫度并保溫，并于保溫結(jié)束后急冷，其中第三溫度為850℃～1000℃，保溫時(shí)間為1分鐘～300分鐘；

第Ⅱ級熱處理，在真空環(huán)境或保護(hù)氣氛中將所述熱變形磁體加熱至第四溫度并保溫，并于保溫結(jié)束后急冷，其中第四溫度為500℃～800℃，保溫時(shí)間為30分鐘～300分鐘。

10.一種采用如權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)制備方法制備得到的稀土永磁體，其特征在于，該稀土永磁體的剩磁Br≥14.3kGs，磁能積(BH)_m≥48MGOe。