[發明專利]偏振可控納米光源及其顯微系統、光子芯片系統有效
| 申請號: | 201610212532.0 | 申請日: | 2016-04-07 |
| 公開(公告)號: | CN105914253B | 公開(公告)日: | 2017-09-12 |
| 發明(設計)人: | 楊青;徐鵬飛;錢浩亮;龐陳雷;李海峰;劉旭 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 杭州天勤知識產權代理有限公司33224 | 代理人: | 胡紅娟 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 偏振 可控 納米 光源 及其 顯微 系統 光子 芯片 | ||
1.一種偏振可控納米光源,其特征在于,包括:
基底;
位于基底上的單層石墨烯;
分別設置在石墨烯邊緣和基底上的第一電極和第二電極;
放置在單層石墨烯上的半導體納米帶;
引入激發光照射所述半導體納米帶一端的光纖,并在所述半導體納米帶另一端輸出光信號;
以及用于改變第一電極和第二電極間施加電壓以調控輸出光偏振的外加信號源。
2.如權利要求1所述的偏振可控納米光源,其特征在于,所述的半導體納米帶采用II-VI族半導體材料,厚度為80nm到120nm。
3.如權利要求1所述的偏振可控納米光源,其特征在于,兩個電極的材料為鉑、金、銀、銅、鋁、鈦、鎳、鈷或鈀。
4.如權利要求1所述的偏振可控納米光源,其特征在于,所述的基底為沉積有氧化硅層或氮化硅層的硅材料。
5.一種具有如權利要求1~4任一項所述偏振可控納米光源的顯微系統,其特征在于,還包括:
激光器,發出耦合入所述光纖的激發光;
顯微物鏡,用于對所述的輸出光進行收集;
濾光片,用于濾掉收集到的部分激發光;
和位于濾光片出射光路上的檢偏器和用于偏振狀態檢測的光探測裝置。
6.一種具有如權利要求1~4任一項所述偏振可控納米光源的光子芯片系統,其特征在于,還包括:
波導耦合光柵或者波導耦合器,位于所述半導體納米帶的端部并用于傳輸所述的輸出光;
無源光子器件,用于接納所述波導耦合光柵或者波導耦合器傳輸的輸出光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





