[發明專利]半導體結構及其形成方法和檢測方法有效
| 申請號： | 201610210758.7 | 申請日： | 2016-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN107293589B | 公開（公告）日： | 2019-12-31 |
| 發明（設計）人： | 周飛 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;G01R31/26 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 高靜;吳敏 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 形成 方法 檢測 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括鄰近的器件區和測試區；
位于所述器件區的半導體器件，所述器件區包括分別位于測試區兩側的第一器件區和第二器件區；所述半導體器件包括：位于所述第一器件區的第一器件；位于所述第二器件區的第二器件；
所述第一器件包括：位于所述第一器件區基底上的第一柵極結構；位于所述第一柵極結構和測試柵極結構之間基底中的第一源區，其中，所述第一柵極結構包括：位于所述第一器件區基底上的第一柵介質層；位于所述第一柵介質層上的第一功函數層；位于所述第一功函數層上的第一柵極；
所述第二器件包括：位于所述第二器件區基底上的第二柵極結構；位于所述第二柵極結構和測試柵極結構之間基底中的第二源區，其中，所述第二柵極結構包括：位于所述第二器件區基底上的第二柵介質層；位于所述第二柵介質層上的第二功函數層；位于所述第二功函數層上的第二柵極；
位于所述測試區基底表面的測試柵極結構，所述測試柵極結構包括：位于所述測試區基底表面的導熱柵介質層；位于所述導熱柵介質層上的測試功函數層，位于所述測試功函數層上的測試柵極；
所述第一源區、第二源區和測試柵極結構形成第三器件；
所述第一功函數層與第二功函數層的類型相同，所述測試功函數層與所述第一功函數層和第二功函數層的類型不同。
2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述導熱柵介質層的材料為高k介質材料。
3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述導熱柵介質層的材料為氧化鉿、氧化鋯、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鋯硅、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦或氧化鋁。
4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述測試柵極為金屬柵極。
5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一器件為NMOS晶體管，所述第二器件為NMOS晶體管；
所述第一功函數層和第二功函數層的材料為鈦鋁合金；
所述測試功函數層的材料為氮化鈦或氮氧化鈦。
6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一器件和第二器件的閾值電壓在0.1V～0.4V的范圍內；
所述第三器件的閾值電壓在0.8V～1.5V的范圍內。
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