[發明專利]半導體裝置的制作方法

有效

• 申請號: 201610210325.1
• 申請日: 2016-04-06
• 公開（公告）號: CN106992144B
• 公開（公告）日: 2019-07-19
• 發明（設計）人: 賴敬華;施健鴻;邱定中
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

本發明公開了一種半導體裝置的制作方法，包含：提供一晶圓，具有一正面與一背面；于所述正面形成多數個穿板通孔；于所述多數個穿板通孔上形成一重分布層；將所述晶圓與一載板接合；于所述背面進行一晶背拋光工藝，薄化所述晶圓；進行一退火工藝，使所述穿板通孔再結晶；以及進行一化學機械拋光工藝，拋光所述晶圓的所述背面。

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置的制作方法，特別是涉及一種穿板通孔(throughsubstrate via，TSV)(或穿硅通孔)中介層的制作方法。

背景技術

穿板通孔中介層是一種設置在一個或多個集成電路芯片與一安裝基板之間的半導體裝置，其中包含有復數個導電通孔。這些導電通孔可允許集成電路芯片與安裝基板之間的電連接。

根據公知技術，上述導電通孔的制作方法是先在一硅基板的正面形成孔洞，接著在孔洞的側壁形成絕緣結構，然后以電鍍方式于孔洞內填入導電金屬，例如銅，再拋光硅基板的背面以暴露出導電通孔的另一端面，用來提供進一步連結使用。

然而，上述現有技術仍有許多缺點。例如，自硅基板的背面暴露出來的導電通孔的另一端面上常會有銅擠出(copper extrusion)現象。有鑒于此，本技術領域仍需要一種改良的半導體裝置的制作方法，可以解決上述現有技術面臨的問題。

發明內容

根據本發明實施例，本發明公開一種半導體裝置的制作方法，包含：提供一晶圓，具有一正面與一背面；于所述正面形成多數個穿板通孔(through substrate via，穿板通孔)；于所述多數個穿板通孔上形成一重分布層；將所述晶圓接合一載板；于所述背面進行一晶背拋光工藝，薄化所述晶圓；進行一退火工藝，使所述穿板通孔再結晶；以及進行一化學機械拋光工藝，拋光所述晶圓的所述背面。

毋庸置疑的，本領域的技術人員讀完接下來本發明優選實施例的詳細描述與附圖后，均可了解本發明的目的。

附圖說明

圖1到圖6是根據本發明一實施例所繪示的一種半導體裝置的制作方法的剖面示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

100 晶圓

100a 正面

100b 背面

101 穿板通孔

102 銅金屬層

103 硅氧層

110 重分布層

112 介電層

114 金屬層

116 凸塊

130 銅擠出缺陷

200 載板

300 退火工藝

具體實施方式

接下來的詳細敘述須參考相關附圖所示內容，用來說明可根據本發明具體實行的實施例。這些實施例提供足夠的細節，可使本領域中的技術人員充分了解并具體實行本發明。在不悖離本發明的范圍內，可做結構、邏輯和電性上的修改應用在其他實施例上。

因此，接下來的詳細描述并非用來對本發明加以限制。本發明涵蓋的范圍由其權利要求界定。與本發明權利要求具同等意義者，也應屬本發明涵蓋的范圍。本發明實施例所參考的附圖為示意圖，并未按比例繪制，且相同或類似的特征通常以相同的附圖標記描述。