[發明專利]一種低溫氣相沉積固態擴散源制備用于太陽電池的摻雜硅的方法在審
| 申請號： | 201610210064.3 | 申請日： | 2016-04-07 |
| 公開（公告）號： | CN105702809A | 公開（公告）日： | 2016-06-22 |
| 發明（設計）人： | 黃海賓;韓宇哲;岳之浩;周浪 | 申請（專利權）人： | 南昌大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L21/225 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 沉積 固態 擴散 制備 用于 太陽電池 摻雜 方法 | ||
1.一種低溫氣相沉積固態擴散源制備用于太陽電池的摻雜硅的方法，其特征是以低溫氣相沉積的方法在硅片表面沉積摻雜氧化硅作為擴散源層，沉積擴散源層的厚度為10-200納米。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述低溫氣相沉積的方法是低溫化學氣相沉積法或低溫物理濺射法。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征是所述的化學氣相沉積法為等離子輔助化學氣相沉積或熱絲化學氣相沉積，沉積過程中以硅烷和二氧化碳作為硅源和氧源。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征是以磷烷和硼烷分別作為n型摻雜和p型摻雜的氣源，沉積摻雜氧化硅層的磷或者硼原子濃度為1018-1022cm-3。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征是所述的低溫物理氣相沉積法為磁控濺射法或離子束濺射法，以摻雜了原子密度為1018-1022cm-3的磷或者硼的氧化硅作為靶材進行濺射沉積，沉積了擴散源層的硅片在800-1000℃溫度范圍內在空氣氣氛中進行擴散，擴散結束后以HF酸去除硅片表面殘留的擴散源層。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征是在沉積工藝進行前進行350-500℃范圍內的低溫熱處理。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述的擴散源層為單面沉積摻雜氧化硅層或雙面沉積摻雜氧化物層。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征是雙面沉積摻雜氧化物層同為n型或p型摻雜源，或者分別為n型和p型摻雜源。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征是沉積過程在管式爐中完成，或者在鏈條式或輥道式連續爐中完成。
10.權利要求1-9中任一權利要求所述的方法制備的擴散層用于同質結晶硅太陽電池作為發射極或/和背電場，或用于同質異質結晶硅太陽電池，或用于雙面進光太陽電池。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
